赛普拉斯的 S34ML08G1，8 GB NAND在3.3 V提供CC与X8 I / O接口。其NAND单元为固态大容量存储市场提供了经济高效的解决方案。存储器被分成可以独立擦除的块，因此可以在擦除旧数据时保留有效数据。页面大小为（2048 + 64个备用）字节。

每个模块都可以编程和擦除多达100,000个周期，并启用纠错码（ECC）。为了延长NAND闪存设备的使用寿命，必须实施ECC。

该芯片支持CE＃Do not Care功能。此功能允许通过微控制器直接从NAND闪存设备下载代码，因为CE＃转换不会停止读取操作。

这些设备具有读取缓存功能，可提高大型文件的读取吞吐量。在高速缓存读取期间，设备将数据加载到高速缓存寄存器中，同时将先前的数据传送到要读取的I / O缓冲器。

在多平面操作中，页面中的数据可以每字节25 ns周期时间读出。I / O引脚用作命令和地址输入以及数据输入/输出的端口。该接口允许减少引脚数量并轻松迁移到不同密度，而无需重新布置占位面积。  

由于采用多平面架构，可以一次编程两个页面（每个平面一个）或一次擦除两个块（同样，每个平面一个）。多平面架构允许编程时间减少40％，擦除时间减少50％。

还支持多平面复制。允许在Copy Back Read（单面和多面情况下）之后读出数据。
此外，高速缓存程序和多平面高速缓存程序操作通过使用高速缓存寄存器编程数据来提高编程吞吐量。

这些设备提供两项创新功能：页面重新编程和多平面页面重新编程。页面重新编程重新编程一页。通常，此操作在页面编程操作失败后执行。同样，多平面页面重新编程并行重新编程两页，每个平面一页。第一页必须位于第一个平面，而第二页必须位于第二个平面。多平面页面重新编程操作在多平面页面编程操作失败后执行。页面重新编程和多平面页面重新编程可确保提高性能; 因为在重编程操作期间可以省略数据插入。

性能

• 页面阅读/程序

• 随机访问：25μs（最大）

• 顺序访问：25 ns（分钟）

• 编程时间/多平面编程时间：200μs（典型值）

• 块擦除/多平面擦除（S34ML04G1）

• 块擦除时间：3.5 ms（典型值）

• 可靠性

• 100,000个编程/擦除周期（典型值）（1位/ 512 + 16字节ECC）

• 10年数据保留（典型值）

• 块0和1有效，并且对于ECC至少1000个编程 - 擦除周期有效