
高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (High-Speed CMOS SDRAMs)
发布时间:2018-06-14
Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线,推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。 对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案,这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。
高速 CMOS SDRAM特性
时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns
快速时钟速率:143 MHz 和 166 MHz
商用温度范围 0°C 至 70°C
采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作
可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面,且可选猝发端接
自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式,从而最大限度提升性能
无铅 (Pb)、无卤素
高速 CMOS SDRAM应用
工业
电信
消费类产品
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | AS4C2M32S-6BIN | 其他存储器-存储器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速访问时间和高时钟速率,支持完全同步操作,内部流水线架构,四个内部bank,可编程模式,多种突发长度和类型,适用于需要高带宽的应用。 | ¥57.27494 | 在线订购 |
![]() | | AS4C4M32SA-7TCN | MRAM磁性随机存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥44.43189 | 在线订购 |
![]() | | AS4C4M32S-7BCN | 其他存储器-存储器 | 128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,内部配置为四组 1M x 32 DRAM。具有快速访问时间(5.4/5.4 ns)和高时钟速率(166/143 MHz)。支持完全同步操作,内部流水线架构,可编程模式,自动刷新和自刷新功能。 | ¥39.75480 | 在线订购 |
![]() | | AS4C2M32SA-7TCN | 其他存储器-存储器 | 64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM,内部配置为四组512K x 32 DRAM,每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开始,并按照编程的序列继续访问多个位置。 | ¥32.73986 | 在线订购 |
![]() | | AS4C2M32S-7BCN | 其他存储器-存储器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速访问时间和高时钟速率,支持完全同步操作,内部流水线架构,四个内部bank,可编程模式,多种突发长度和类型,适用于需要高带宽的应用。 | ¥31.21200 | 在线订购 |
![]() | | AS4C4M32SA-6TIN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥59.03840 | 在线订购 |
![]() | | AS4C4M32S-6BIN | 其他存储器-存储器 | 128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,内部配置为四组 1M x 32 DRAM。具有快速访问时间(5.4/5.4 ns)和高时钟速率(166/143 MHz)。支持完全同步操作,内部流水线架构,可编程模式,自动刷新和自刷新功能。 | ¥56.05810 | 在线订购 |
![]() | | AS4C4M32SA-6TCN | 其他存储器-存储器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥42.41915 | 在线订购 |
![]() | | AS4C2M32SA-6TIN | 其他存储器-存储器 | 64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM,内部配置为四组512K x 32 DRAM,每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开始,并按照编程的序列继续访问多个位置。 | ¥44.44286 | 在线订购 |
![]() | | AS4C2M32SA-6TCN | 其他存储器-存储器 | 64Mb SDRAM 是一种高速CMOS同步DRAM,内部配置为四组512K x 32 DRAM,每个512K x 32位的bank组织为2048行 x 256列 x 32位。读写访问以选定位置开始,并按照编程的序列继续访问多个位置。 | ¥29.51640 | 在线订购 |
应用案例
资讯专业RAM哪家强?且看Alliance Memory三个“不”承诺2014-12-03
内存产业就像是一个江湖,经过几十年的大浪淘沙,如今剩下的厂商屈指可数。而要想在这个巨头环伺,竞争激烈的行业内生存,当然不是一件容易的事情。







上传BOM


