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600 V MDMesh™ DM2 MOSFET
STMicroelectronics 推出适合工业应用的 600 V MDmesh DM2 MOSFET（600 V MDmesh™ DM2 MOSFETS）
发布时间：2018-06-14
STMicroelectronics 最新的高能效快速恢复二极管 MOSFET 系列具有极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)，针对要求高开关性能的高电压全桥和半桥拓扑结构进行了优化。 这些 600 V 器件还具有超低 Qg、极低 Coss / Ciss，较低导通状态电阻以及高 dv/dt 稳健性。
600 V MDMesh™ DM2 MOSFET特性
快速恢复体二极管
极低栅极电荷和输入电容
低导通电阻
较低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr)
100% 雪崩测试
极高 dv/dt 稳健性
齐纳保护
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STW56N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 | ￥77.06796 | 在线订购 |
 | | STW33N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 24A | 在线订购 | |
 | | STW56N65DM2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道650 V、0.058 Ohm典型值、48 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装 | ￥18.81600 | 在线订购 |
| | STW18N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 600V 12A | ￥35.57843 | 在线订购 |
 | | STP18N60DM2 | MOSFETs-晶体管 | N沟道600 V、0.260 Ohm典型值、12 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装 | ￥30.86294 | 在线订购 |
应用案例
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AHT20+BMP280模块简介 本品采用了数字温湿度传感器AHT20与数字气压传感器BPM280 组成， I2C 输出。电压直流3.3V供电（两个模块电源是一起的，板子没有稳压器件，BMP280最高支持电压3.6V，所以这里建议是3.3V供电），体积小巧，方便集成。板子是将两个器件的IIC接到一起了，==板载4.7K的上拉电阻==。 AHT20 AHT20 是一款高精度数字式温湿度传感器，采用 I2C 通信接口，集成度高、功耗极低，能同时精准测量环境温度（-40℃ - 85℃）和相对湿度（0%~100% RH），输出数据
资讯基于STM32F103C8T6驱动WS2812彩灯模块点亮RGB灯2025-12-04
一、WS2812模块简介 WS2812是一个集控制电路与发光电路于一体的智能外控LED光源。其外型与一个5050LED灯珠相同，每个元件即为一个像素点。像素点内部包含了智能数字接口数据锁存信号整形放大驱动电路，还包含有高精度的内部振荡器和12V高压可编程定电流控制部分，有效保证了像素点光的颜色高度一致。 数据协议采用单线归零码的通讯方式，像素点在上电复位以后，DIN端接受从控制器传输过来的数据，首先送过来的24bit数据被第一个像素点提取后，送
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了解专为N沟道增强模式GaN晶体管打造的高压半桥栅极驱动器的最新技术成果。此类器件具有无与伦比的效率和可靠性，堪称SMPS、电池充电器、适配器、泵、压缩机等各种消费类和工业应用的理想选择。意法半导体GaN栅极驱动器搭载了集成自举二极管，且具有出色的电流能力和较短的传播延迟，堪称驱动器技术的全新标杆。为了简化开发和集成过程，我们推出了适用于STDRIVEG610和STDRIVEG611的评估板；它们可以帮助用户轻松、快速地完成原型开发工作。
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