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高电压功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器
ON Semiconductor 为全桥和半桥电源转换器提供高电压功率栅极驱动器（High-Voltage Power MOSFET and IGBT Drivers）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的高电压功率栅极驱动器面向低到中功率应用，可用于如白色家电、照明镇流器和工业应用（如电机控制）之类最终产品。
这些高电压、高压侧和低压侧驱动器具有宽指定工作温度范围 (-40°C < TJ < 125°C)，并可工作在高达 600 V 的输入电压条件下，缩小了设计时间并减轻了设计精力。 所有这些器件具有 50 V/ns 的 dv/dt 抗扰度且具有 3.3 V 和 5 V 输入逻辑兼容。 这些器件采用自举技术，可确保正确的高压侧电源开关驱动，并提供坚固耐用的设计。
NCP5109、NCP5106B、NCP5181 和 NCP5304 是高电压功率栅极驱动器，提供两个输出，用于直接驱动两个排列成半桥配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。 NCP5106A 可用在任何其它高压侧加低压侧配置中。
高电压功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器特性
高电压范围：最高 600V
dv/dt 抗扰度 50 V/nsec
栅极驱动电源的电压范围：10 V 至 20 V
高压和低压 DRV 输出
3.3 V 和 5 V 输入逻辑兼容
输入引脚上摆动可达 VCC
两个通道间传播延迟相互匹配
输出与输入同相
独立逻辑输入，可接受所有的拓扑结构
两个通道均设有欠压锁定 (UVLO)
高电压功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器应用
用于 UPS 系统的桥逆变器
高功率能量管理
半桥电源转换器
全桥转换器
任何互补驱动转换器（非对称式半桥、有源箝位）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NCP5106BA36WGEVB | 开发板/评估板/验证板（废弃） | EVAL BOARD FOR NCP5106BA36WG | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NCP5106BDR2G | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | ￥6.14000 | 在线订购 |
 | | NCP5304DR2G | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 在线订购 | |
 | | NCP5181DR2G | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 在线订购 | |
 | | NCP5181PG | 栅极驱动-电源管理 | LINE DRIVER, 1 DRIVER, PDIP8 | 在线订购 | |
| | NCP5106ADR2G | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | ￥5.06941 | 在线订购 |
 | | NCP5106APG | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP | 在线订购 | |
| | NCP5106BPG | 栅极驱动-电源管理 | HALF BRIDGE PERIPHERAL DRIVER | 在线订购 | |
| | NCP5304PG | 栅极驱动-电源管理 | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP | 在线订购 |
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