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NIV1161 ESD 保护二极管
ON Semiconductor 提供低电容 ESD 保护二极管（NIV1161 ESD Protection Diode），该器件可阻断对电池短路，适用于汽车中的高速数据线路
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 NIV1161 设计用于保护高速数据线路免受 ESD 以及对车辆电池短路条件的危害。 超低电容和低 ESD 钳位电压，使该器件成为保护电压敏感型高速数据线路的理想解决方案，而其低 RDS(on) FET 又能限制信号线路上的失真。 采用直通式封装，因此易于 PCB 布局以及匹配必要的印制线长度，以保持如 USB 和 LVDS 协议等高速差分线路之间的阻抗一致。
NIV1161 ESD 保护二极管特性
低电容（0.65 pF 典型值，I/O 至 GND）
I/O 之间的二极管电容匹配：1% 典型值
优化的布局，以实现出色的高速信号完整性
满足 IEC 标准的保护功能：IEC 61000-4-2（4 级）
低 ESD 钳位电压
通过 AEC-Q101 鉴定，具有 PPAP 能力
NIV1161 ESD 保护二极管应用
汽车高速度信号对
USB2.0/3.0
LVDS
HDMI
APIX2
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NIV1161MTTAG | ESD抑制器/TVS二极管-过压过流保护器件 | ￥4.11963 | 在线订购 |
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