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ISO5452 高 CMTI 隔离式 IGBT 栅极驱动器
Texas Instruments 提供其具有分离输出和有源安全特性的 ISO5452 2.5 A / 5 A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器（ISO5452 Isolated IGBT Gate Driver with High CMTI）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 ISO5452 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离式栅极驱动器，具有 OUTH 和 OUTL 分离输出，可提供 2.5 A 拉电流和 5 A 灌电流。 输入侧采用 2.25 V 至 5.5 V 单电源工作， 输出侧允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。 76 ns 的短传播时间保证了对输出级的精确控制。
内部去饱和 (DESAT) 故障检测可识别 IGBT 是否处于过流状态。 检测到 DESAT 时，“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH，并会在 2 μs 时间范围内将 OUTL 拉至低电平。 当 OUTL 达到 2 V 时（相对于最大负电源电势 VEE2），栅极驱动器的输出会被硬拉至 VEE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。
去饱和功能激活时，会通过隔离势垒发送故障信号，以将 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器输入。 静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，仅在 RDY 变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常工作期间关断 IGBT，输电压会硬箝位为 VEE2。 输出电源为单极时，可采用有源米勒箝位，使米勒电流灌入一条低阻抗路径，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监控输入侧和输出侧的电源。 如果任一侧电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。
ISO5452 采用 16 引脚 SOIC 封装。 额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。
ISO5452 高 CMTI 隔离式 IGBT 栅极驱动器特性
VCM= 1500 V 时共模瞬态抗扰度 (CMTI) 为 50 kV/μs（典型值）和 100 kV/μs（最大值）
分离式输出，提供 2.5 A 峰值拉出电流和 5 A 峰值灌入电流
短传播延迟： 76 ns（典型值）、110 ns（最大值）
2 A 有源米勒箝位
输出短路箝位
短路期间的软关断 (STO)
检测到去饱和故障时，通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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| | ISO5852SQDWRQ1 | 隔离式栅极驱动器-信号隔离器件及模块 | ISO5852S-Q1 具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器 | ￥60.96935 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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 | | ISO5852SEVM | 开发板/评估板/验证板（废弃） | EVALBOARDFORISO5852S | ￥576.90414 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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| | ISO5452DWR | 隔离式栅极驱动器-信号隔离器件及模块 | ISO5452 具有分离输出、STO 和保护功能的 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器 | ￥7.45800 | 在线订购 |
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