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    SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件

    SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件

    Vishay 的 VRPower 集成 DrMOS 功率级器件(SIC53/SIC63 VRPOWER® Integrated Power Stage)功率密度高、能效高,适用于笔记本电脑、超极本和台式机

    发布时间:2018-06-14

    为了满足下一代笔记本电脑、超极本和台式机的高电流、高能效、高功率密度要求,Vishay Siliconix 推出了适用于多相 POL 稳压器应用的五种 VRPower 集成电源级解决方案。 在热增强型 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装和 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装中集中了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC 和自举肖特基二极管,Vishay Siliconix SiC530、SiC531、SiC532、SiC631 和 SiC632 的封装体积相比使用分立式器件解决方案减小了 45%。

    • 这些器件均针对采用 Intel Skylake 平台的计算平台进行了优化

    • 通过减小输出滤波器的尺寸,高开关频率减小了解决方案的总尺寸和外形

    • 高压侧和低压侧 MOSFET 采用 Vishay 最新的第四代 TrenchFET® 技术,减少了开关和导通损耗

    • 系统在待机模式下工作时,将电流消耗降至 5 µA,并在 5 µs 内从该状态下唤醒


    SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件特性

    • 组合了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动 IC 和自举肖特基二极管

    • 高功率密度:

      • 在 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装内实现了高达 30 A 的连续电流

      • 在 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装内实现了高达 40 A 的连续电流

    • 满足 IMVP8 的 PS4 模式轻负载要求

    • 符合 RoHS 规范且无卤素

    • 较低的封装寄生性能可实现高达 2 MHz 的开关频率

    • 驱动器 IC 兼容范围广泛的 PWM 控制器,支持 5 V 三态 PWM 逻辑

    • 高能效:

      • 二极管仿真模式电路和零电流检测功能提升了轻负载能效

      • 自适应空载时间控制功能提升了所有负载点的能效

    • 具有欠压锁定 (UVLO) 功能

    SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件应用

    1. DC/DC 稳压模块

    2. 用于下一代笔记本电脑、超极本、台式机和工作站中 CPU、GPU 和存储器的多相 VRD

    3. 向嵌入式系统中的高性能 ASIC 和 FPG 输送电力

    4. 云计算

    5. 电信/网络基础设施

    6. 工业 PC

    7. 同步降压稳压器

    SIC630/SIC631/SIC632 VRPOWER® Integrated Power Stage
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