
SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件

Vishay 的 VRPower 集成 DrMOS 功率级器件(SIC53/SIC63 VRPOWER® Integrated Power Stage)功率密度高、能效高,适用于笔记本电脑、超极本和台式机
发布时间:2018-06-14
为了满足下一代笔记本电脑、超极本和台式机的高电流、高能效、高功率密度要求,Vishay Siliconix 推出了适用于多相 POL 稳压器应用的五种 VRPower 集成电源级解决方案。 在热增强型 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装和 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装中集中了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动器 IC 和自举肖特基二极管,Vishay Siliconix SiC530、SiC531、SiC532、SiC631 和 SiC632 的封装体积相比使用分立式器件解决方案减小了 45%。
这些器件均针对采用 Intel Skylake 平台的计算平台进行了优化
通过减小输出滤波器的尺寸,高开关频率减小了解决方案的总尺寸和外形
高压侧和低压侧 MOSFET 采用 Vishay 最新的第四代 TrenchFET® 技术,减少了开关和导通损耗
系统在待机模式下工作时,将电流消耗降至 5 µA,并在 5 µs 内从该状态下唤醒
SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件特性
组合了功率 MOSFET、先进的 MOSFET 栅极驱动 IC 和自举肖特基二极管
高功率密度:
在 4.5 mm x 3.5 mm PowerPAK MLP4535-22L 封装内实现了高达 30 A 的连续电流
在 5 mm x 5 mm PowerPAK MLP55-31L 封装内实现了高达 40 A 的连续电流
满足 IMVP8 的 PS4 模式轻负载要求
符合 RoHS 规范且无卤素
较低的封装寄生性能可实现高达 2 MHz 的开关频率
驱动器 IC 兼容范围广泛的 PWM 控制器,支持 5 V 三态 PWM 逻辑
高能效:
二极管仿真模式电路和零电流检测功能提升了轻负载能效
自适应空载时间控制功能提升了所有负载点的能效
具有欠压锁定 (UVLO) 功能
SIC53/SIC63 VRPOWER® 集成功率级器件应用
DC/DC 稳压模块
用于下一代笔记本电脑、超极本、台式机和工作站中 CPU、GPU 和存储器的多相 VRD
向嵌入式系统中的高性能 ASIC 和 FPG 输送电力
云计算
电信/网络基础设施
工业 PC
同步降压稳压器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | SIC631CD-T1-GE3 | 电机驱动器及控制器-接口及驱动芯片 | 50 A VRPower®集成功率级 | ¥6.09840 | 在线订购 |
| | SIC531ACD-T1-GE3 | 栅极驱动-电源管理 | 在线订购 | |||
| | SIC632CD-T1-GE3 | 栅极驱动-电源管理 | ¥21.85433 | 在线订购 | ||
| | SIC532CD-T1-GE3 | 栅极驱动-电源管理 | 在线订购 | |||
| | SIC530CD-T1-GE3 | 栅极驱动-电源管理 | ¥21.38604 | 在线订购 | ||
| | SIC632ACD-T1-GE3 | 栅极驱动-电源管理 | ¥11.54945 | 在线订购 |
应用案例
资讯EMI安规电容器选型时需要考虑什么2025-11-25
安规电容是在电子电路中用于抑制电源电磁干扰的电容器,其核心的作用有两方面:一是消除电源线路中的噪声,对共模,差模干扰进行滤波;二是要满足安全规范 IEC60384-14 的要求。
资讯Vishay HRHA充电电阻器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay MCB HRHA充电电阻器(用于EV混合绕线技术)具有高能量/体积比,符合AEC-Q200标准。Vishay MCB HRHA充电电阻器设计用于工业和汽车电器中的预充电、放电和有源放电电阻器。该系列在不锈钢上的额定功率为90W,在Pamitherm上的额定功率为54W。这些混合绕线电阻器的温度范围为-55C°至+250°C。
资讯Vishay Spectrol 157型精密工业电位器技术解析与应用指南2025-11-17
Vishay/Spectrol 157型精密工业电位器是7/8" (22.2mm) 元件,由导电塑料制成,有套管和伺服安装型号可供选择。这些电位器具有1kΩ至100kΩ电阻范围、 10%或±20%容差选项、360°连续旋转以及340° (±4°) 电角度,可在宽温度范围内工作。坚固的一体式金属外壳有助于延长旋转寿命。
资讯Vishay TNPW系列含铅薄膜片式电阻器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器是高稳定性、薄膜片式电阻器。这些薄膜电阻器采用含铅端子,因此适合用于非常重视可靠性和稳定性的关键应用,例如军事、航空电子和工业应用。这些电阻器的封装尺寸范围为0402至1210,电阻范围为10Ω至3.01MΩ,容差为±1%至±0.1%。Vishay TNPW含铅薄膜片式电阻器采用陶瓷结构、金属膜层和SnPb端子电镀,引线触点>6%。
资讯Vishay Spectrol 534系列多匝线绕电位器技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay/Spectrol 534系列7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计采用套管和伺服安装设计,标准线性度为±0.25%,特殊电阻容差为1%。这些器件具有2W额定功率(+70°C时)、10匝绕线、100Ω至100kΩ电阻范围,以及10Ω至200kΩ能力范围。其他特性包括双群组配置和同心轴、后轴扩展和支撑轴承,以及特殊标记和前轴扩展。Vishay/Spectrol 7/8" (22.2mm) 多匝绕线电位计非常适合用于工业应用。
资讯Vishay BC Components 202 PML-ST系列铝电解电容器技术解析2025-11-14
Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202螺钉端子铝电解电容器 (AEC) 的使用寿命长达10,000小时(+85°C时),具有大纹波电流和低等效串联电阻 (ESR)。Vishay/BC Components 202 PML-ST/MAL2202 AEC的应用寿命超过25年(+50°C时),额定电容范围为330μF至56,000μF。这些电容器可在电机驱动器、不间断电源 (UPS)、焊接、X射线设备等中提供能量存储。
资讯Vishay SIP32434 电子保险丝技术解析与应用指南2025-11-14
Vishay / Siliconix SIP32434单通道电子保险丝集成了多种控制和保护特性。SIP32434具有更高可控性和可靠性,简化了设计,并最大限度地减少了外部元件数量。SIP32434A和SIP32434B保护电源和连接开关的下游电路。保护功能包括过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流。
资讯Vishay SuperTan®液态钽电容器技术解析与应用指南2025-11-13
Vishay/Sprague STH SuperTan ^®^ 液态钽电容器性能更加强大,具有军用元器件H级抗热冲击和抗振动能力。该系列还具备高达300次的抗热冲击能力。其设计牢固性强且可靠性高,采用了玻璃-金属气密封接、绝缘套管和锡/铅轴向端接,D型封装尺寸。Vishay/Sprague STH SuperTan液态钽电容器的工作温度范围为-55°C ~ +85°C,在电压降额情况下工作温度可高达+125°C。其它特性如下:电容为880μF或1200μF(容差为±20%),低等效串联电阻 (ESR) 为500mΩ或600mΩ。通常应用于航空电子设备、航空航天、石油钻探和水下设备、电源、致动器、应答器以及无线电、雷达和军事系统。







上传BOM

