购物车
上传BOM
全面的 MOSFET 产品组合
ON Semiconductor 的创新和技术领导历程（Complete MOSFET Portfolio）
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 于上世纪 90 年代发明了沟槽式 MOSFET。 从那时起，他们就一直完善 MOSFET 技术和制造工艺，开发出适合任何应用的数千种产品。 ON Semiconductor 的 MOSFET 具有同类最佳的性能、较高 FOM（品质因数）和有助于简化使用的引脚对引脚兼容性。 设计人员将继续选择 ON Semiconductor MOSFET，来实现高品质、高可靠性、设计支持和一致的可用性。
低压 <30 V
低压范围极宽的 N 和 P 沟道 MOSFET 适用于各种不同的应用，包括 DC/DC 转换、热插拔和负载开关。
中压 30 V 至 250 V
通过采用屏蔽式栅极技术的先进沟槽式工艺，中压 MOSFET 实现了较低开关节点瞬时振荡。
高压 >250 V 至 1700 V
ON Semiconductor 的共面沟槽式和超级结高电压 MOSFET 系列专为高能效和耐用性而设计。
为什么选择 ON Semiconductor FET
功率传输解决方案属于 ON Semiconductor 的核心业务，他们已连续超过 50 年提供领先的功率半导体器件。
MOSFET 和栅极驱动器 IP 组合构建了应用优化型解决方案，能将与总体系统相关的转换和导通损耗降至最低。
他们能够使 MOSFET、控制器和 PWM 驱动器 IP 以及先进的工艺和封装功能相融合、匹配，进而优化元器件选择。
从减少电压尖峰和过冲，到降低结电容和反向恢复电荷，ON Semiconductor MOSFET 具有出色的设计可靠性，从而无需更多外部元器件即可保持系统正常工作，并实现更长的使用寿命。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FCH072N60F | MOSFETs-晶体管 | 通孔 N 通道 600 V 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247-3 | ￥22.98420 | 在线订购 |
 | | FCH041N60E | MOSFETs-晶体管 | ￥130.46911 | 在线订购 | |
 | | FCPF400N80Z | MOSFETs-晶体管 | SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。 | ￥43.98465 | 在线订购 |
| | FCPF400N80ZL1 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FDMS7650 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷和极低 RDS(ON)。 | 在线订购 | |
 | | FDMC8010 | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件非常适用于需要在小空间内实现超低 rDS(on) 的应用，如高性能 VRM、POL 和 Oring 功能。 | ￥22.33201 | 在线订购 |
| | FDMC8010ET30 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | FDMS7656AS | MOSFETs-晶体管 | FDMS7656AS旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 先进的硅技术和封装技术完美融合，在保持出色开关性能的同时，还能提供最低的r | ￥6.67088 | 在线订购 |
 | | FDMS7650DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。 | ￥10.03504 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | FDMS86101A | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 | ￥37.05317 | 在线订购 |
 | | FDMS86101 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP | ￥6.33650 | 在线订购 |
 | | FDMS86200 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=18mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP | ￥5.35807 | 在线订购 |
 | | FDMS86200DC | MOSFETs-晶体管 | 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。 | ￥26.89500 | 在线订购 |
 | | FDMS86101DC | MOSFETs-晶体管 | 表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6） | ￥11.84001 | 在线订购 |
应用案例
资讯安森美联手英诺赛科！中低压GaN器件渗透加速2025-12-03
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录，双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会，基于英诺赛科成熟的200mm硅基氮化镓制造工艺，探索扩大氮化镓功率器件的生产规模。 备忘录中明确了合作框架，将整合安森美在集成系统与封装领域的领导地位，以及英诺赛科成熟的氮化镓技术与高产量制造能力，为工业、汽车、电信基础设施、消费电子和人工智能数据中心市场提供高性价比、高能效的氮化镓
资讯艾体宝新闻 | 应对新型 IoT 僵尸网络攻击，ONEKEY 方案守护安全2025-12-02
一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
资讯安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体/驱动器产品奖2025-11-27
11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
资讯基于安森美产品的在线式不间断电源解决方案2025-11-27
20 世纪不间断电源（UPS）刚问世时，其唯一用途是在停电时提供应急供电，而高昂的成本限制了它的应用范围。如今，随着电力电子技术的持续发展，UPS 已能够高效优化电能质量、过滤线路噪声、抑制电压浪涌，并可在任意场景下按需提供更长时间的备用电源。在低碳社会背景下，低能耗、高可靠性、小占地面积已成为 UPS 的新发展方向。
资讯使用安森美图像传感器的AR与VR头戴设备系统应用方案2025-11-27
增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
资讯安森美宣布60亿美元股票回购授权计划2025-11-27
安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布其董事会已授权在未来三年内实施达60亿美元的新股票回购计划，自2026年1月1日起生效，原30亿美元的授权将于2025年12月31日到期。根据之前的授权，安森美在过去三年中已回购21亿美元普通股，特别是在2025年，公司将约100%的自由现金流用于股票回购。
资讯安森美图像传感器开发必备工具DevWareX使用教程2025-11-20
安森美（onsemi）推出了AR0830 RGBIR以及AR0544 RGBIR sensor，广泛应用在医疗，以及IOT智能家居应用上，那么我们怎么在安森美的DevWareX上来进行RGBIR的图像和视频的抓取呢？
资讯安森美垂直氮化镓技术的精彩问答2025-11-20
在电气化、可再生能源和人工智能数据中心的推动下，电力电子领域正经历一场变革。安森美(onsemi)凭借创新的垂直氮化镓 (vGaN) 技术引领这一浪潮，推出的高能效系统重新定义了性能与可靠性的行业标准。本文将解答关于 vGaN 的核心疑问，并阐释该技术对能源与电源解决方案未来发展的影响。
工商网监