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SQJ200EP和SQJ202EP N沟道TrenchFET®器件
Vishay Siliconix的SQJ200EP和SQJ202EP MOSFET（SQJ200EP and SQJ202EP N-Channel TrenchFET® Devices）采用双非对称功率封装
发布时间：2018-06-14
Vishay采用双非对称功率封装，推出业界首款符合AEC-Q101标准的12 V和20 V MOSFET。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET器件在紧凑的5 mm x 6mmPowerPAK®SO-8L双非对称封装中结合了高端和低端MOSFET，低端最大导通电阻低至3.3mΩ。
通过在非对称封装中共同封装两个MOSFET，使用更大的低侧MOSFET实现更低的导通电阻，使用更小的高侧MOSFET实现更快的开关，12 V SQJ202EP和20 V SQJ200EP为标准双器件提供高性能替代方案，这限制了MOSFET的最佳组合，适用于高电流，高频同步降压设计。与使用分立元件相比，这些器件占用更少的电路板空间，可以实现更紧凑的PCB布局。
这些器件可在+ 175°C的高温下工作，以提供汽车应用所需的坚固性和可靠性，如信息娱乐，远程信息处理，导航和LED照明。SQJ202EP非常适合总线电压小于或等于8 V的应用，并为通道2低侧MOSFET提供极低的最大导通电阻，低至3.3mΩ。对于具有更高总线电压的应用，20 V SQJ200EP具有略高的最大导通电阻3.7mΩ。两款器件均经过100％栅极电阻和雪崩测试，符合RoHS标准且无卤素。
SQJ200EP和SQJ202EP N沟道TrenchFET®器件特性
TrenchFET功率MOSFET
AEC-Q101合格
100％Rg和UIS测试
符合RoHS标准
无卤
SQJ200EP和SQJ202EP N沟道TrenchFET®器件应用
同步降压应用
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SQJ200EP-T1_GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥15.33096 | 在线订购 | |
| | SQJ202EP-T1_GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥4.90986 | 在线订购 |
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