Toshiba 扩充了其超高能效低压系列 MOSFET 产品，为公司的现有产品线新增 30 V 和 40 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑 TSON Advance 和 SOP Advance 封装选择。这两种封装可实现低导通电阻、低 QOSS，进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
这些 N 沟道 MOSFET 包括一个 30 V 器件和一个 40 V 器件，基于 Toshiba 的新一代 U-MOS IX-H 沟槽半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON)) ，以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率，最终在实现各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
MOSFET 有助设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间，包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路和 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制，以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。
在电压 (VGS) 为 10 V 时，30 V MOSFET 的最大额定 RDS(ON) 仅 0.65 mΩ，而 COSS 的典型值为 2720 pF。 40 V 器件的 RDS(ON) 和 COSS（典型值）分别为 0.85 mΩ 和 1930 pF。 这样，就可确保灵活地为给定应用进行性能优化。
UMOS IX-H MOSFET 以扁平表面贴装封装 TSON Advance (3 mm x 3 mm) 和 SOP Advance (5 mm x 6 mm) 提供。 所有 MOSFET 工作时的通道温度均可达 175°C。