SCT2H12NZ 为工业设备中的辅助电源提供所需的高击穿电压。 相比传统的硅 MOSFET，导通损耗降低了 8 倍，从而获得了更高的能效。 再结合 ROHM 专门为 SiC MOSFET 驱动器 (BD7682FJ-LB) 设计的 AC/DC 转换器控制 IC，使得该器件能够最大限度地提高性能并将能效提升 6%。 这使得使用更小的外设元件成为可能，从而提高了设备的微型化程度。

针对工业设备中的辅助电源进行了优化

相比工业设备辅助电源中所用的 MOSFET，SCT2H12NZ 的导通电阻小了 8 倍（1.15 Ω），且具有更高的击穿电压 (1700 V)。 此外，紧凑的 TO-3PFM 封装保持了工业设备所需的爬电距离（沿着绝缘材料表面的测量距离）。 ROHM 发布表面贴装类型器件 (TO268-2L)，同时具有足够的爬电距离。

当与 ROHM 的专用 IC 配合使用时提升了能效

使用这款最新的 SiC MOSFET 并配合 ROHM 为 SiC MOSFET 驱动器设计的 AC/DC 转换器控制 IC (BD7682FJ LB)，使得该器件能够最大限度地提高性能并将能效提升 6%。 相同时间发生的热将会减少，因此所需的散热元件就可以很小，从而可以使用更小的元器件。