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第 3 代沟槽型 SiC MOSFET
ROHM 的原始设计（3rd Generation Trench-Type SiC MOSFETs）实现了高耐受电压、低导通电组和高开关速度
发布时间：2018-06-14
ROHM 的第 3代 SiC MOSFET 采用了专有沟槽式栅极结构。相比现有的共面型 SiC MOSFET，这种结构能将导通电阻减少 50%，输入电容减少 35%。 也就是说，该器件显著降低了开关损耗，实现了更快的开关速度，既能提升能效，又能降低各种设备的功率损耗。
第 3 代沟槽型 SiC MOSFET特性
更低的导通电阻提高了逆变器的功率密度
支持高速开关操作
寄生二极管的最小反向恢复特性
较小的 Qg 和寄生电容
可防止因寄生二极管导通造成降额
兼容高工作温度 (Tjmax= 175°C)
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SCT3120ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | N沟道,650V,21A,120mΩ@18V | ￥94.15487 | 在线订购 |
 | | SCT3160KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-Channel VDS=1.2KV VGS=-4~+22V ID=17A RDS(ON)=208mΩ@18V TO247 | ￥33.35003 | 在线订购 |
| | SCT3060ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | ￥136.18463 | 在线订购 | |
| | SCT3080KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
| | SCT3030ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | ￥250.15093 | 在线订购 | |
| | SCT3040KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | ￥199.55936 | 在线订购 | |
| | SCT3022ALGC11 | MOSFETs-晶体管 | ￥400.86033 | 在线订购 | |
| | SCT3030KLGC11 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 |
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