
GreenBridge™ 系列高效率桥式整流器

ON Semiconductor 的先进 GreenBridge 技术(GreenBridge™ Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers)提高了 PoE 应用的热性能和功率转换效率
发布时间:2018-06-14
ON Semiconductor GreenBridge 有源桥式四通道 MOSFET 以更小的外形尺寸提供更高的功率转换效率,传导损耗更低,适合高功率 PoE 应用。 FDMQ8205 系列提供两个 N 沟道和两个 P 沟道额定 80 V MOSFET,采用单通道、小型 MLP-12 封装。
相比传统的肖特基桥,GreenBridge 解决方案具备更低的传导损耗和出色的能效,能够实现高达 10 倍的更佳功率耗散。 新型自驱动技术省去了外部驱动元件,减少了有源桥应用的解决方案尺寸、成本和复杂性。
GreenBridge™ 系列高效率桥式整流器特性
在 PD 解决方案中提供显著的效率优势
无需散热设计
更低的功率损耗
以 GreenBridge 取代二极管桥
用于 MOSFET 的自驱动电路
最高的可用功率和电压
符合 RoHS 规范
GreenBridge™ 系列高效率桥式整流器应用
有源桥
替代 24 V 和 48 V AC 系统中的二极管桥
以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD)
高能效桥式整流器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | FDMQ8203 | MOSFETs-晶体管 | 与二极管桥相比,此四 mosfet 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。 | ¥66.55000 | 在线订购 |
![]() | | FDMQ8403 | MOSFETs-晶体管 | 高效桥式整流器,与二极管桥相比,此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。 | ¥13.83896 | 在线订购 |
![]() | | FDMQ86530L | MOSFETs-晶体管 | 与二极管桥相比,此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。 | ¥13.60494 | 在线订购 |
![]() | | FDMQ8205 | 桥式整流器/整流桥-二极管 | FDMQ8205 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET,因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。传统二极管桥的功率损耗相对较高,在很多应用中都不希望发生这种情况。尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此,因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET,因此与传统二极管桥相比,可以降低由于电压降造成的功率损耗。FDMQ8205 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压,消除 PoE PD 应用中的热设计问题。FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求,并且具有较小的回送电压,因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。 | ¥65.03988 | 在线订购 |









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