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ZXGD3111N7 OR'ing MOSFET 控制器
Diodes 推出专用于驱动功率 MOSFET 的 200 V 有源 OR'ing MOSFET 控制器（ZXGD3111N7 OR'ing MOSFET Controller）
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 推出针对电信、数据中心和服务器的冗余电源架构等应用的 ZXGD3111N7，从而进一步扩充其 MOSFET OR'ing 控制器系列产品阵容。
ZXGD3111N7 可全面增强极低 Rds(on) 的功率 MOSFET。 它可替代有损肖特基阻流二极管，进而降低了工作温度并提高系统可靠性。 通过将 MOSFET作为“理想二极管”驱动，控制器提高了标准 48 V 共模轨系统的整体系统能效。
ZXGD3111N7 OR'ing MOSFET 控制器特性
适合高压侧或低压侧 PSU 的有源 OR'ing MOSFET 控制器
降低正向电压降的理想二极管
-3 mV 典型关断阈值，具有 ±2 mV 容差
200 V 漏极电压额定值
25 V VCC 额定电压
< 50 mW 的低待机功耗，静态电源电流 <1 mA
< 600 ns 的关断时间，可最大限度减少反向电流
完全无铅，完全符合 RoHS 规范
无卤素、无锑的“绿色”器件
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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