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    LP5912 超低噪声 LDO

    LP5912 超低噪声 LDO

    Texas Instruments 推出适用于 RF 和模拟电路的 LP5912 500 mA 超低噪声 LDO(LP5912 Ultra-Low-Noise LDOs)

    发布时间:2018-06-14

    Texas Instruments 的 LP5912 是一款能够输出 500 mA 电流的 LDO。 该器件专为满足 RF 和模拟电路的要求而设计,具有噪声低、PSRR 值高、静态电流小且线路和负载瞬态响应小等许多特性。 这款产品在没有噪声旁路电容器的情况下达到同类领先的噪声性能,并可用于更换远端输出电容器。
    该器件设计可与 1 µF 输入和 1 µF 输出陶瓷电容器配套使用(无需单独的噪声旁路电容器)。 这些器件的固定输出电压为 0.8 V 至 5.5 V,步长为 25 mV。

    LP5912 超低噪声 LDO特性

    • 输入电压范围:1.6 V 至 6.5 V

    • 输出电压范围:0.8 V 至 5.5 V

    • 输出电流:高达 500 mA

    • 低输出电压噪声:12 µVRMS(典型值)

    • 1 kHz 下的 PSRR:75 dB (典型值)

    • 输出电压容差 (VOUT ≥ 3.3 V):±2%

    • 低 IQ(启用,无负载)︰ 30 µ A (典型值)

    • 低压差 (VOUT ≥ 3.3 V):500 mA 负载时 95 mV(典型值)

    • 利用 1 µF 陶瓷输入和输出电容器保持稳定性

    • 热过载和短路保护

    • 反向电流保护

    • 无需噪声旁路电容器

    • 用于快速关断的输出自动放电

    • 电源良好输出,具有 140 µs(典型值)的延迟

    • 内部软启动可限制浪涌电流

    • -40°C 至 +125°C 的工作结温范围

    Evaluation Modules
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    LP5912 Ultra-Low-Noise LDOs
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