Vishay 向其 600 V 和 650 V E 系列功率 MOSFET 产品线添加三个采用紧凑型 PowerPAK® SO-8L 封装的 N 沟道器件。 Vishay Siliconix 的 600 V SiHJ8N60E 以及 650 V SiHJ6N65E 和 SiHJ7N65E 提高了可靠性，并提供更小的封装电感，可在照明、工业、电信、计算机和消费类应用中取代采用 TO-252 (DPAK) 封装的 MOSFET 并节省空间。

• 这种 PowerPAK SO-8L 封装完全符合 RoHS 规范，无卤素并简化了与其它表面贴装元件（如无源元件）配合使用的制造流程

• 与 TO-252 (DPAK) 封装器件相比高度减半，且仅占用一半的板空间

• 降低了封装电感，并提升更高工作频率下的性能

• 基于 Vishay 的最新高能效 E 系列超级结技术

• 较低的栅极电荷与导通电阻乘积，这是在功率转换应用中使用的 MOSFET 的一项关键品质因数 (FOM)