Texas Instruments 的 ISO5852S 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离式栅极驱动器，具有 OUTH 和 OUTL 分离输出，可提供 2.5 A 拉电流和 5 A 灌电流。 输入侧采用 2.25 V 至 5.5 V 单电源工作， 输出侧允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补型 CMOS 输入用于控制栅极驱动器的输出状态。 76ns 的短传播时间保证了对输出级的精确控制。
内部去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 是否处于过流状态。 检测到 DESAT 时，“静音”逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚，并会在 2 μs 内将 OUTL 引脚拉至低电平。 当 OUTL 引脚达到 2 V 时（相对于最大负电源电势 VEE2），栅极驱动器的输出会被硬拉至 VEE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。
去饱和功能激活时，会通过隔离栅发送故障信号，以将 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器输入。 静音逻辑在软关断期间激活。 FLT 的输出状态将被锁存，仅在 RDY 变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。
如果在由双极输出电源供电的正常工作期间关断 IGBT，输电压会硬箝位为 VEE2。 输出电源为单极时，可采用有源米勒箝位，使米勒电流灌入一条低阻抗路径，从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监控输入侧和输出侧的电源。 如果任一侧电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。
ISO5852S 采用 16 引脚 SOIC 封装。 额定工作环境温度范围为 -40°C 至 125°C。