特性

• 低电容：每个 I/O 1.0 pF（典型值）

• 低漏泄电流：5 V 时 25 nA（典型值）

• 实现了高 ESD 抗扰度和卓越的保护：ESD，±22 kV 接触，±22 kV 空气放电，IEC 61000-4-2；EFT，40 A (tP=5/50 ns)，IEC 61000-4-4；雷击，40 A (tP=8/20 μs) IEC 61000-4-5 第二版

• 小型化 μDFN 封装 (JEDEC MO-229)

优势

• 最大限度地减少了高速数据的信号降级或衰减，为工程师在其设计提供了更多信号裕量

• 低漏泄电流，延长了电池寿命，并保证信号完整性，因为过大的漏泄可视作高速差分对的附加电容

• 使制造商能够实现超过 IEC 标准规定的最高水平 ESD 保护，并且可抵御许多其它威胁，以确保产品的现场可靠性

• 节省了宝贵板空间，简化了 PCB 布局，并能够在象智能手机之类空间受限型应用中提供保护