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超高能效 U-MOS IX-H MOSFET
Toshiba 扩充了其超高能效 MOSFET 系列，增加了 30 V、40 V 和 60 V 器件（Ultra-High-Efficiency U-MOS IX-H MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品，为其现有的产品线新增 30 V、40 V 和 60 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑的 TSON Advance、SOP Advance 和 TO-220/TO-220-SIS 封装选择，可实现低导通电阻、低 QOSS，进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
这些 N 沟道 MOSFET 包括了 30 V、40 V 和 60 V 器件，基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON))，以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率，最终实现在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间，包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制，以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。
超高能效 U-MOS IX-H MOSFET特性
低漏源导通电阻
低输出电荷（漏源电容电荷）
TSON Advance 封装 (3.3 x 3.3 x 0.85 mm)
SOP Advance 封装 (5 x 6 x 0.95 mm)
TO-220/TO-220SIS 封装 (10 x 15 x 4.45 mm)
超高能效 U-MOS IX-H MOSFET应用
服务器和基站电源
高能效 DC-DC 转换器
开关稳压器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TPN1R603PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | ￥3.02505 | 在线订购 | |
 | | TPH3R003PL,LQ | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥3.64780 | 在线订购 |
 | | TPH2R506PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers | ￥13.72950 | 在线订购 |
| | TPH7R204PL,LQ | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥10.50342 | 在线订购 |
| | TPH7R006PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥10.77027 | 在线订购 |
| | TPHR9203PL,L1Q | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥19.14952 | 在线订购 |
 | | TK8R2A06PL,S4X | MOSFETs-晶体管 | ￥15.95863 | 在线订购 | |
 | | TK3R1E04PL,S1X | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥20.41169 | 在线订购 |
 | | TK3R1A04PL,S4X | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥18.68969 | 在线订购 |
| | TK4R3E06PL,S1X | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥21.13559 | 在线订购 |
| | TK4R3A06PL,S4X | MOSFETs-晶体管 | X35PB-FPOWERMOSFETTRANSISTOR | ￥19.31488 | 在线订购 |
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