Toshiba 扩充了其超高能效、低电压系列 MOSFET 产品，为其现有的产品线新增 30 V、40 V 和 60 V 器件。 所有这些器件均提供超紧凑的 TSON Advance、SOP Advance 和 TO-220/TO-220-SIS 封装选择，可实现低导通电阻、低 QOSS，进而提升基站、服务器或工业设备中开关模式电源的能效。
这些 N 沟道 MOSFET 包括了 30 V、40 V 和 60 V 器件，基于 Toshiba 的下一代 U-MOS IX-H 沟槽式半导体工艺。 这种工艺旨在通过降低导通电阻 (RDS(ON))，以及通过减小输出电荷 (QOSS) 提升开关效率，最终实现在各种各样的负载条件下拥有业内一流的能效。
MOSFET 有助于设计人员减少各种电源管理电路的损耗和板空间，包括 DC-DC 转换中的低压侧开关电路及 AC-DC 设计中的次级侧同步整流电路。 这些技术也非常适合用于电机控制，以及基于锂离子 (Li-ion) 电池的电子设备中保护电路。