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    1200 V RC-E 反向导通 IGBT

    1200 V RC-E 反向导通 IGBT

    Infineon 推出其经济、高能效的 1200 V RC-E 反向导通 IGBT(1200 V RC-E Reverse Conducting IGBT)

    发布时间:2018-06-14

    Infineon RC-E 系列 IGBT 采用了历史悠久的应用特定技术。 这些器件专门针对软开关应用进行了成本优化,功能齐备。 RC-E 技术使用的 IGBT 带单片式集成反向导通二极管,并成为价格、性能和易用性的标杆。 该系列具备 Infineon RC IGBT 的成熟质量,可满足所有的软开关应用需求。 RC-E 系列是功能强大的单片二极管,具有低正向电压。 这些器件包括 TRENCHSTOPTM 技术,可提供极紧密的参数分布、高稳健性、稳定的温度性能以及低 VCEsat。此外,正系数 VCEsat 还带来便利的并联开关能力。

    1200 V RC-E 反向导通 IGBT特性

    • 低 Eoff 和 VCEsat

    • 设计用于软开关应用

    • 针对 18 kHz 至 40 kHz 的开关频率性能进行了优化

    • 最常用的阻断电压:1200 V

    • 低损耗帮助设计满足能效标准

    • 现有设计的直接替代品

    • 软开关实现良好的 EMI 性能

    1200 V RC-E Reverse Conducting IGBT
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