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1200 V RC-E 反向导通 IGBT
Infineon 推出其经济、高能效的 1200 V RC-E 反向导通 IGBT（1200 V RC-E Reverse Conducting IGBT）
发布时间：2018-06-14
Infineon RC-E 系列 IGBT 采用了历史悠久的应用特定技术。 这些器件专门针对软开关应用进行了成本优化，功能齐备。 RC-E 技术使用的 IGBT 带单片式集成反向导通二极管，并成为价格、性能和易用性的标杆。 该系列具备 Infineon RC IGBT 的成熟质量，可满足所有的软开关应用需求。 RC-E 系列是功能强大的单片二极管，具有低正向电压。 这些器件包括 TRENCHSTOPTM 技术，可提供极紧密的参数分布、高稳健性、稳定的温度性能以及低 VCEsat。此外，正系数 VCEsat 还带来便利的并联开关能力。
1200 V RC-E 反向导通 IGBT特性
低 Eoff 和 VCEsat
设计用于软开关应用
针对 18 kHz 至 40 kHz 的开关频率性能进行了优化
最常用的阻断电压：1200 V
低损耗帮助设计满足能效标准
现有设计的直接替代品
软开关实现良好的 EMI 性能
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IHW15N120E1XKSA1 | IGBT-晶体管 | IGBT1200V15ATO247-3 | ￥26.92917 | 在线订购 |
 | | IHW25N120E1XKSA1 | IGBT-晶体管 | IGBT1200V25ATO247-3 | ￥30.97997 | 在线订购 |
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