Wurth Electronics 提供纳米晶体型、高电流型、镍锌型、高带宽型、水平型和高电压型共模电源线扼流圈。 

WE-CMB 系列共模扼流圈：WE-CMB 系列即使在低频范围内实仍能对非对称干扰保持高抑制。 使用共模扼流圈时，不要低估的寄生效应。 如何降低这种不良影响是开发 WE-CMB 系列时最重要的一项考虑因素。 完美的磁芯/绕组比实现可比区域的较高电流，总之保障足够的电感。 经调节的线规还实现了低发热。

采用纳米晶体磁芯材料的 WE-CMBNC 系列共模扼流圈：WE-CMBNC 产品系列采用纳米晶体磁芯，具备宽带衰减特性。 纳米晶体磁芯磁导率是传统锰锌材料磁芯的二十倍。 因此，在传统镍锌和锰锌磁芯具有很少衰减效应的低 kHz 频率范围内，它能有效低电源带来的干扰。 即使在高频率范围内，低绕组电容也实现了高水平的衰减。 其居里温度是传统磁芯的三倍左右，所以推挽式干扰不会导致电源扼流圈饱和。

具备高电流特性的 WE-CMB HC 系列共模扼流圈：WE-CMB HC 系列也可在低频范围内实对非对称干扰保持高抑制。 该系列还具有更高的额定电流。

采用镍锌磁芯材料的 WE-CMB MiZn 系列共模扼流圈：WE-CMB 镍锌系列以镍锌为磁芯材料，可实现高频和中频时的非对称干扰抑制高抑制效率。

具有极高带宽的 WE-ExB 系列共模扼流圈：Wurth Electronics WE-ExB 系列采用由锰锌和镍锌制成的双磁芯扼流圈。 其插损作用的频率范围比单一锰锌或镍锌磁芯更宽。 与以前的电流补偿线路扼流圈相比，这意味着在低频范围（150 kHz 至 4 MHz）插损提高了 70%，而在高频范围（4 MHz 至 30 MHz）则提高了 30%。 这种电流补偿型共模扼流圈特别适合具有宽干扰频谱的应用，如 EMC、网络或共模滤波器，尤其是电力电子设备和电机干扰抑制应用。

WE-CMBH 系列水平共模扼流圈：Wurth Electronics 提供水平版本的共模电源线扼流圈。 该电力线路扼流圈截面高度仅为 22 mm，非常适用于纤薄外壳。 低电容绕组技术使得宽带抑制成为可能。 这使得 WE-CMBH 系列成为 150 kHz 至 30 MHz 频率范围内抑制干扰的理想选择。 该系列产品可用来过滤 AC/DC 以及高功率 DC/DC 电源的共模噪声。 此外，由于没有采用焊接或粘合方式连接到塑料基板的磁芯或引线，因此 CMBH 系列产品具有可靠的机械稳定性。 该系列产品的有效电感范围为 1.0 mH 至 7.0 mH，电流处理能力高达 10 A。

WE-CMB HV 系列高压共模扼流圈：WE-CMB HV 系列是电流补偿型共模扼流圈，用于高达 760 VAC 的市电应用。 该系列与现有的 WE-CMB 和 WE-CMB NC 系列具备点距兼容性。 由于采用塑料外壳以及更厚分离器，WE-CMB HV 与 WE-CMB 系列相比三倍的额定电压，两倍的绝缘电压以及三倍的净空和爬电距离。