XLamp® MHB-B LED

Cree 推出其 XLamp MHB-B LED（XLamp® MHB-B LEDs），该产品能降低高性能照明应用的系统成本

发布时间：2018-06-14

Cree 的 XLamp MHB-B 是高功率 LED，为高棚、路面和室外照明等高流明照明应用降低系统成本提供了一种比中等功率 LED 更有效的方法。充分利用了 Cree SC5 Technology™ 平台的关键元件，这款陶瓷 MHB-B LED 集高光输出、高能效和高可靠性优势于一体，实现了中等功率 LED 不可能实现的高流明 LED 设计。 MHB-B LED 采用与 MHB-A LED 相同的 5 mm x 5 mm 封装，却比后者具有更高的 LPW，这让制造商能够迅速提升现有 MHB 设计的性能，而无需另外任何投资。

XLamp® MHB-B LED特性

可灵活地选择 9 V、18 V 或 36 V
最大驱动电流：700 mA (9 V)、350 mA (18 V)、175 mA (36 V)
视角：115°
提供 70‑CRI、80‑CRI 和 90‑CRI
在 ≤30°C/85% RH 条件下车间寿命无限
可进行回流焊接 - JEDEC J‑STD‑020C
热电分离
符合 RoHS 和 REACH 规范
获得 UL® 认可的元件 (E349212)

XLamp MH Family LEDs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
	MHBAWT-0000-000C0BD440E	发光二极管/LED-光电器件	LED XLAMP 4000K WHITE 9V SMD	￥11.29778	在线订购
	MHBAWT-0000-000N0BD265E	发光二极管/LED-光电器件	LED XLAMP 6500K WHITE 36V SMD	￥9.53584	在线订购
	MHBAWT-0000-000C0BD450E	发光二极管/LED-光电器件	LED Lighting Xlamp® MHB-A White, Cool 5000K 5-Step MacAdam Ellipse 9V 480mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad	￥11.29778	在线订购
	MHBAWT-0000-000C0HC230G	发光二极管/LED-光电器件	LED XLAMP 3000K WHITE 9V SMD	￥6.79947	在线订购
	MHBAWT-0000-000C0HC430H	发光二极管/LED-光电器件	LED XLAMP 3000K WHITE 9V SMD	￥11.74454	在线订购

XLamp MHB-B LEDs
数据手册	产品型号	产品分类	产品描述	价格	操作
	MHBBWT-0000-000C0BD440E	发光二极管/LED-光电器件	LEDXLAMPNEUTWHT4000KSMD		在线订购
	MHBBWT-0000-000N0HC427G	发光二极管/LED-光电器件	LEDXLAMPWARMWHT2700KSMD	￥14.12326	在线订购
	MHBBWT-0000-000N0HD230G	发光二极管/LED-光电器件	LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD	￥14.12326	在线订购
	MHBBWT-0000-000C0BD230E	发光二极管/LED-光电器件	LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD		在线订购
	MHBBWT-0000-000C0BD430E	发光二极管/LED-光电器件	LEDXLAMPWARMWHT3000KSMD		在线订购

应用案例

资讯CREE（Wolfspeed）的垄断与衰落及国产碳化硅衬底崛起的发展启示2025-03-04
中国碳化硅衬底材料从受制于人到实现自主突破的历程，以及由此对国产碳化硅功率半导体企业的启示，可以归纳为以下几个关键点：一、从垄断到突破：中国碳化硅材料的逆袭之路 CREE（Wolfspeed）的垄断与衰落技术垄断期：Wolfspeed（原CREE）曾长期主导全球碳化硅衬底市场，其物理气相传输法（PVT）生长技术及6英寸衬底工艺占据绝对优势。2018年特斯拉采用碳化硅后，Wolfspeed市值一度飙升，但此后因技术迭代缓慢、成本高企及中国企业的竞争，市值暴
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资讯国芯思辰｜基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机二次侧整流2022-07-20
车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4D30120D），该二极管
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资讯CREE(科锐)公司的历史和产品变迁2023-07-10
说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到极致，并产生商业价值最大化，全球没有第二家公司超越。经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司，有点混淆。 CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的能效比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料
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资讯国芯思辰｜基本半导体低开关损耗碳化硅肖特基二极管B1D02065E(替代C3D02065E)助力LED电源效率的提升2022-08-26
显示屏电源是LED显示屏的重要组成部分，主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证屏体正常显示。LED电源框图如图所示。LED电源框图整流器是LED电源转换模块的核心元器件。为了更好地将交流电转换为直流电，设计师更倾向于碳化硅肖特基二极管整流器，因其具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极低的反向恢复时间、低泄漏和高结温能力。基本半导体碳化硅肖特基二
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资讯CGHV14250 L波段放大器CREE2023-04-24
Wolfspeed的CGHV14250是种致力于高效化设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益和宽带宽性能；从而使CGHV14250成为1.2–1.4GHzL波段雷达放大器应用领域的最佳选择。CGHV14250晶体管适合于从UHF到1600MHz的特殊频率段技术应用。封装的选项有陶瓷/金属法兰和药丸式封装。特征 FET调谐范围UHF至1800MHz 330W常见额定功率 18dB功率增益值 77%常见栅极高效率内部预适配输入；前所未有的输入输出技术应用 L波段雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多
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资讯CGHV60170D L波段放大器CREE2023-04-11
Wolfspeed的CGHV60170D是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与硅或砷化镓相比较，CGHV60170D具备更优越的使用性能；包含更高击穿场强；更高饱和电子偏移速率；和更高传热性。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV60170D具有更强的功率密度和更宽的带宽。特征 65%的常见功率附带高效率 170W经典PSAT 50伏操控高击穿场强高至6GHz的操作频率应用宽带放大器战略通讯设备卫星通讯工业化，科学和医疗放大器电路 ClassA;AB；主要用于OFDM的线型放大器电路；无线频分多
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资讯L波段放大器CGH40120介绍2023-04-04
Wolfspeed的CGH40120是前所未有的；氮化镓(GaN)；高电子迁移率晶体管(HEMT)。CGH40120选用28伏电源供应；具备通用型；各种射频和微波应用宽带宽解决方案。GaNHEMT具备高效化；高增益和宽带宽宽性能；使CGH40120成为了线型和压缩功率放大电路的最佳选择。CGH40120选用金属陶瓷丸和法兰盘封装。特征高至2.5GHz的操作 1.0GHz时的20dB小信号增益值 2.0GHz时的15dB小信号增益值 120W典型PSAT PSAT效率为70% 28伏操控应用 2路专用型无线通信宽带放大器蜂窝基础设施建设测试设
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资讯C波段功率放大器CMPA5259025介绍2022-09-22
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益;和宽带宽性能；从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。特征 30dB小信号增益值 PSAT的效率为50% 电压高达28V 高击穿电压应用雷达放大器 CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的
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XLamp® MHB-B LED

XLamp® MHB-B LED特性