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    600/650/700 V CoolMOS™ CE N 沟道功率 MOSFET

    600/650/700 V CoolMOS™ CE N 沟道功率 MOSFET

    Infineon Technologies 提供其用于消费和照明应用的 600/650/700 V CoolMOS CE 超级结 MOSFET(600 / 650 / 700 V, CoolMOS™ CE, N-Channel Power MOSFETs)

    发布时间:2018-06-14

    Infineon Technologies 的 CoolMOS CE 系列是市场领先的高压功率 MOSFET,按照超级结 (SJ) 原理设计和制造,适用于消费类电子产品。 该系列现提供 600 V、650 V 和 700 V 器件,适用于移动设备、电动工具、电视和 LED 照明应用的低功耗充电器。
    CoolMOS CE 是一款经过成本优化的平台,满足消费和照明市场中各种应用的要求,达到最高的能效标准,以及具备该系列业经证明的质量和可靠性。 该系列提供快速开关的超级结 MOSFET 的所有优势,且丝毫不影响易用性。
    CoolMOS CE 适用于软和硬开关应用,并提供低传导和开关损耗,提升了效率并最终降低了功耗。

    600/650/700 V CoolMOS™ CE N 沟道功率 MOSFET特性

    特性

    • 凭借极低的 FOM RDS(ON)*QG 和 EOSS 实现了超低损耗

    • 超高的换向稳固性

    • 易于使用/驱动

    • 无铅镀层和无卤素模塑料

    • 符合标准级应用规范


    优势

    • 低传导损耗

    • 低开关损耗

    • 适用于软和硬开关

    • 可轻松控制的开关行为

    • 更高的能效,功耗也随之降低

    • 减少设计导入工作

    600/650/700 V, CoolMOS CE, N-Channel Power MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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