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600/650/700 V CoolMOS™ CE N 沟道功率 MOSFET
Infineon Technologies 提供其用于消费和照明应用的 600/650/700 V CoolMOS CE 超级结 MOSFET（600 / 650 / 700 V, CoolMOS™ CE, N-Channel Power MOSFETs）
发布时间：2018-06-14
Infineon Technologies 的 CoolMOS CE 系列是市场领先的高压功率 MOSFET，按照超级结 (SJ) 原理设计和制造，适用于消费类电子产品。 该系列现提供 600 V、650 V 和 700 V 器件，适用于移动设备、电动工具、电视和 LED 照明应用的低功耗充电器。
CoolMOS CE 是一款经过成本优化的平台，满足消费和照明市场中各种应用的要求，达到最高的能效标准，以及具备该系列业经证明的质量和可靠性。 该系列提供快速开关的超级结 MOSFET 的所有优势，且丝毫不影响易用性。
CoolMOS CE 适用于软和硬开关应用，并提供低传导和开关损耗，提升了效率并最终降低了功耗。
600/650/700 V CoolMOS™ CE N 沟道功率 MOSFET特性
特性
凭借极低的 FOM RDS(ON)*QG 和 EOSS 实现了超低损耗
超高的换向稳固性
易于使用/驱动
无铅镀层和无卤素模塑料
符合标准级应用规范
优势
低传导损耗
低开关损耗
适用于软和硬开关
可轻松控制的开关行为
更高的能效，功耗也随之降低
减少设计导入工作
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IPS70R1K4CEAKMA1 | MOSFETs-晶体管 | 在线订购 | ||
 | | IPS70R950CEAKMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 700V TO-251 | 在线订购 | |
 | | IPA65R1K0CEXKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 650V TO220-3 | ￥13.41558 | 在线订购 |
 | | IPN60R2K1CEATMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 | ￥6.66424 | 在线订购 |
 | | IPD70R1K4CEAUMA1 | MOSFETs-晶体管 | ￥9.64066 | 在线订购 | |
 | | IPD70R950CEAUMA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3 | 在线订购 | |
 | | IPAN50R500CEXKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3 | ￥13.32847 | 在线订购 |
 | | IPA80R1K4CEXKSA2 | MOSFETs-晶体管 | ￥17.01993 | 在线订购 | |
| | IPA80R1K0CEXKSA2 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 800V TO-220-3 | 在线订购 | |
 | | IPN70R1K5CEATMA1 | MOSFETs-晶体管 | N-Channel 700V 5.4A (Tc) Surface Mount PG-SOT223 | ￥8.64608 | 在线订购 |
| | IPAN65R650CEXKSA1 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3 | ￥14.59162 | 在线订购 |
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