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SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET
Vishay 的 SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET（SiR638DP, N-Channel, 40 V MOSFET） 具有高电流和低 RDS(ON)
发布时间：2018-06-14
Vishay 的 SiR638DP 具有业内一流的 RDS(ON) 和输出电容 (Coss)，从而实现更低的系统功耗。 该器件采用坚固耐用的 PowerPAK SO-8 封装，额定电流 100 A DC。 PowerPAK SO-8 封装与标准 SO-8 封装具有相同的基底面和相同的引脚布局。 因此，PowerPAK 可用来直接替换标准的 SO-8 封装。 PowerPAK SO-8 采用无引线封装，利用了整个 SO-8 基底面，释放通常由引线占用的空间，从而比标准的 SO-8 封装能容纳更大的芯片。
SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET特性
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
经过 100% Rg 和 UIS 测试
Qgd/Qgs 的比值 < 1，优化了开关特性
SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET应用
同步整流
O 型环
高功率密度 DC/DC
VRMS 和嵌入式 DC/DC
DC/AC 逆变器
负载开关
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | SIR638DP-T1-GE3 | MOSFETs-晶体管 | ￥26.95961 | 在线订购 |
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