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650 V、SuperFET® III MOSFET
ON Semiconductor 推出其 650 V、SuperFET® III MOSFET（650 V, SuperFET® III MOSFETs），相同封装尺寸具有更高的功率密度和超过 40% 的 Rds(on) 降低
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor 的 650 V、SuperFET III 系列是为实现高功率密度而专门设计的高性能超级结 MOSFET。 相比上一代行业领先技术，SuperFET III 技术在相同的封装尺寸下使得 Rds(on) 降低了 40% 以上，能够让产品设计人员减小封装尺寸或增加相同封装的功率。
650 V、SuperFET® III MOSFET特性
能够实现更高系统能效的同类最佳 FOM 和 Eoss
先进的充电平衡技术
具有更低栅极振荡和 EMI 的高均衡型开关特性
同类最佳坚固型体二极管
所有易驱动型 MOSFET 中 Rsp 最低
650 V、SuperFET® III MOSFET应用
服务器
电信系统
EV 充电器
工业系统
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FCPF067N65S3 | MOSFETs-晶体管 | SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此先进技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更轻松的设计实施。 | ￥64.17810 | 在线订购 |
 | | FCH023N65S3L4 | MOSFETs-晶体管 | SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。 | 在线订购 | |
 | | FCB070N65S3 | MOSFETs-晶体管 | SUPERFET III MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能，并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive 系列有助于管理 EMI 问题，实现更简单的设计实施。 | ￥29.93679 | 在线订购 |
 | | FCP067N65S3 | MOSFETs-晶体管 | ￥70.39861 | 在线订购 |
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