KEMET Electronics 的高压、高温 200 °C 电容器采用 EIA 外壳尺寸 2824、3040、3640 和 4540，提供最高电容为 150 nF，耐压高达 2000 V。这些表面贴装 C0G 电容器具有 200 °C 的最高工作温度，专门设计用于适应恶劣的工业环境，如石油勘探和汽车或航空电子引擎舱电路。 此外，随着宽带隙半导体 (SiC, GaN) 技术的电压、频率和温度不断增长，KEMET 的专利 1 类 BME 电容器非常适用于实现最大的功率密度和能效等设计目标。
KEMET HV-HT 系列表面贴装、C0G、多层陶瓷电容器 (MLCC) 采用坚固耐用的专有基底金属电极 (BME) 介电系统制造，这种系统在极端温度下具有业内领先的性能。 这些表面贴装器件具有 200 °C 的最高工作温度，专门设计用于适应恶劣的工业环境，如石油勘探和汽车或航空电子引擎舱电路。
这些 MLCC 具有温度补偿功能，非常适合谐振电路应用或要求 Q 值和稳定电容特性的应用。 电容器的电容不会随时间和电压的变化而变化，且相对环境温度的电容变化可忽略不计。 在 -55°C 至 200°C 的温度范围内，电容变化限制在 ±30 ppm/°C 以内。 此外，这些器件在温度升高至 200°C 前始终保持高绝缘电阻和低耗散因数。 在高频率下这些器件还具有低 ESR；与耐高温贵金属电极 (PME) 和基底金属电极 (BME) 电介质系统器件竞品相比，具有出色的体积效率。 这些器件采用无铅 (Pb) 工艺，且符合 RoHS 和 REACH 规范而无需任何豁免条件。