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第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列
Toshiba 的第 4 代超级结 MOSFET 系列（Gen-4 Super-Junction 600 V, 650 V, and 800 V DTMOS IV MOSFET Series）通过使用单一外延工艺，在高温度条件下具有更低的导通电阻
发布时间：2018-06-14
Toshiba 开发出第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列。相比其上一代 DTMOS III，DTMOS IV 采用了先进的单一外延工艺制造，MOSFET 品质因数 (FOM) 导通电阻·A 降低了 30%。导通电阻·A 的降低使该器件可在同一封装中容纳更低导通电阻的芯片。这有助于提高效率和减少电源的尺寸。
第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列特性
相比其前代 (DTMOS III) 导通电阻 A 减小 30%
通过使用单一外延工艺，在高温度条件下导通电阻更低
相比前一代产品 (DTMOS III) 由于 Coss 的下降而使得开关损耗 Eoss 减少 12%
提供 0.9 Ω 至 0.018 Ω（最大值）的宽范围导通电阻 RDS(ON)
各种不同的封装选择
通孔式：TO-220、TO-220SIS、IPAK、I2PAK、TO-3P(N)、TO-3P(L)、TO-247
表面贴装：DPAK、D2PAK
第 4 代超级结 600 V、650 V 和 800 V DTMOS IV MOSFET 系列应用
通信设备电源
服务器
UPS
液晶电视
台式 PC
适配器
LED 照明
电焊机
打印机
太阳能逆变器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | TK10A80W,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH800V9.5ATO220-3 | ￥38.52886 | 在线订购 |
| | TK12A80W,S4X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH800V11.5ATO220-3 | ￥41.36108 | 在线订购 |
 | | TK12E80W,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH800V11.5ATO220-3 | 在线订购 | |
| | TK17E80W,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH800V17ATO220-3 | ￥56.59554 | 在线订购 |
| | TK7E80W,S1X | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH800V6.5ATO220-3 | ￥39.63882 | 在线订购 |
 | | TK17A80W,S4X | MOSFETs-晶体管 | ￥49.52110 | 在线订购 |
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