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900 V K5 MOSFET
STMicroelectronics 900 V K5 MOSFET（900 V K5 MOSFETS） 提高了反激式转换器的功率和效率
发布时间：2018-06-14
使用 STMicroelectronics 最新的 900 V MDmesh™ K5 超级结 MOSFET，电源设计人员能满足更高功率和更高能效的系统要求，并实现业内一流导通电阻 (Rds （on)) 和动态特性。
900 V 击穿电压确保了高总线电压系统的额外安全裕量。该系列包含首款 RDS(ON) 低于 100 mΩ 的 900 V MOSFET，并为 DPAK 器件带来业内最佳 RDS(ON)。此外，凭借业内最低的栅极电荷 (QG)，这些器件可确保更快速开关功能，在需要宽输入电压范围的应用中获得更大的灵活性。这些特性可确保在所有类型的反激式转换器中提供高效率和可靠性，包括标准、准谐振和有源箝位设计，覆盖 35 W 至 230 W 或更高的额定功率。此外，低输入和输出电容（CISS、COSS）实现零电压切换，半桥 LLC 谐振变换器只产生极少的能量损耗。
全新的器件提高了安全裕量并具备出色的静态和动态性能，能让设计人员改进各种不同产品的性能，如服务器电源、3 相开关模式电源 (SMPS)、LED 照明电源、电动汽车 (EV) 充电器、太阳能发电机、焊机、工业驱动器和工厂自动化。
ST 的 MDmesh K5 超级结晶体管系列提供多种选择，额定电压为 800 V、850 V、900 V、950 V、1050 V、1200 V 和 1500 V。ST 的超级结器件的多种封装选择包括 TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247 长引线、IPAK 和 I2PAK 以及 D2PAK 和 DPAK 表面贴装功率封装，它们共同为设计人员提供了全面的极高电压 (VHV) MOSFET 产品组合。
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | STF20N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装 | ￥66.90367 | 在线订购 |
 | | STW40N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.088 Ohm典型值、40 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装 | ￥127.60046 | 在线订购 |
| | TN3050H-12WY | 可控硅/晶闸管/光电可控硅-晶体管 | SCR1.2KV19ATO247-3 | ￥52.05071 | 在线订购 |
 | | STFI15N95K5 | MOSFETs-晶体管 | N-CHANNEL950V,0.41OHMTYP., | ￥25.48089 | 在线订购 |
| | STW8N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.60 Ohm典型值、8 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装 | ￥42.05180 | 在线订购 |
| | STW20N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装 | ￥70.95448 | 在线订购 |
 | | STB20N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N-CHANNEL900V,0.24OHMTYP., | ￥27.65159 | 在线订购 |
 | | STP20N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.21 Ohm典型值、20 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装 | ￥72.13052 | 在线订购 |
| | STWA40N90K5 | MOSFETs-晶体管 | N沟道900 V、0.088 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247长引线封装 | ￥120.13204 | 在线订购 |
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