使用 STMicroelectronics 最新的 900 V MDmesh™ K5 超级结 MOSFET，电源设计人员能满足更高功率和更高能效的系统要求，并实现业内一流导通电阻 (Rds （on)) 和动态特性。
900 V 击穿电压确保了高总线电压系统的额外安全裕量。该系列包含首款 RDS(ON) 低于 100 mΩ 的 900 V MOSFET，并为 DPAK 器件带来业内最佳 RDS(ON)。此外，凭借业内最低的栅极电荷 (QG)，这些器件可确保更快速开关功能，在需要宽输入电压范围的应用中获得更大的灵活性。这些特性可确保在所有类型的反激式转换器中提供高效率和可靠性，包括标准、准谐振和有源箝位设计，覆盖 35 W 至 230 W 或更高的额定功率。此外，低输入和输出电容（CISS、COSS）实现零电压切换，半桥 LLC 谐振变换器只产生极少的能量损耗。
全新的器件提高了安全裕量并具备出色的静态和动态性能，能让设计人员改进各种不同产品的性能，如服务器电源、3 相开关模式电源 (SMPS)、LED 照明电源、电动汽车 (EV) 充电器、太阳能发电机、焊机、工业驱动器和工厂自动化。
ST 的 MDmesh K5 超级结晶体管系列提供多种选择，额定电压为 800 V、850 V、900 V、950 V、1050 V、1200 V 和 1500 V。ST 的超级结器件的多种封装选择包括 TO-220AB、TO-220FP、TO-247、TO-247 长引线、IPAK 和 I2PAK 以及 D2PAK 和 DPAK 表面贴装功率封装，它们共同为设计人员提供了全面的极高电压 (VHV) MOSFET 产品组合。