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NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET
ON Semiconductor 推出功率 MOSFET（NTMFS5H4xx and NTMFS5H6xx Power MOSFETs），提供低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 值
发布时间：2018-06-14
ON Semiconductor NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 40 V 和 60 V 功率 MOSFET 提供低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 值，能显著地降低传导损耗并提升总体工作效率水平。这些器件还具有非常低的 QG 和输入电容，可确保驱动器损耗保持在尽可能低的水平。这些器件均采用小型基底面 SO8FL 封装。
NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET特性
小型基底面 SO8FL (5 x 6) 封装
次 mΩ 级 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
60 V：1.3 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.7 mΩ @ 4.5 V（最大值）
40 V：1.1 mΩ @ 10 V（最大值）至 1.6 mΩ @ 4.5 V（最大值）
低 QG 和电容将驱动损耗降至最低
60 V：40 nC @ 4.5 VGS（典型值）至 89 nC @ 10 VGS（典型值）
40 V：41 nC @ 4.5 VGS（典型值） 至 89 nC @ 10 VGS（典型值）
进一步提升了开关参数
60 V：tRR 72 ns（典型值）
40 V：tRR 59 ns（典型值）
NTMFS5H4xx 和 NTMFS5H6xx 功率 MOSFET应用
高能效 DC-DC 转换
初级侧 MOSFET
次级同步整流
降压稳压器
高能效 AC-DC 转换
次级同步整流
网络/电信
服务器
AC 适配器
手持电动工具
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | NTMFS5H600NLT1G | MOSFETs-晶体管 | 功率 MOSFET，60V，250A，1.3mΩ，单 N 沟道，SO-8FL，逻辑电平 | ￥12.01634 | 在线订购 |
应用案例
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一、事件概述 最近，安全圈爆出一起严重威胁：一种名为 ShadowV2 的新型僵尸网络／恶意软件正被黑客用于利用物联网（IoT）设备漏洞进行大规模攻击。 ShadowV2 于 2025年10月底首次被发现，与当时一次全球范围的 Amazon Web Services (AWS) 中断事件时间吻合。黑客似乎借这次混乱测试其基础设施。 恶意攻击通过 IoT 设备发起，形成“僵尸网络 (botnet)”，以发动大规模分布式拒绝服务攻击 (DDoS) 为主要目的。被攻击设备分布广泛，包括家用/办公路由器、 DVR、NAS 等
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11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。
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增强现实(AR)与虚拟现实(VR)头显标志着人机交互领域的重大飞跃，其打造的沉浸式体验远超传统屏幕交互模式。AR 头显通过同步定位与地图构建(SLAM)、深度感知及计算机视觉等核心技术，将三维物体、标注信息、空间数据等数字内容叠加于用户的现实视野中，实现虚拟元素与物理空间的精准锚定。这一特性使其在工业维护、医疗可视化、位置服务等领域，能够提供实时情境化增强功能，赋能专业场景高效运作。
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