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MOSFET 的价格 GaN 的性能
EPC 推出 MOSFET 价格的具有 GaN 性能的器件（GaN Performance at MOSFET Value）
发布时间：2018-06-14
EPC 推出 MOSFET 价格的具有 GaN 性能的器件。
今天 GaN 面临着一个极速增长期，因为采用这种材料的半导体为各个公司创造出了主要业绩和成本优势。 GaN 的增长源自于对现有硅器件的替代和全新应用，这是其出色的性能成就的结果。
MOSFET 的价格 GaN 的性能特性
出色的性能
更小的尺寸
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | EPC2036 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT)-晶体管 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) N沟道 100V 1A | ￥17.35172 | 在线订购 |
| | EPC2035 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT)-晶体管 | TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE | ￥4.88131 | 在线订购 |
 | | EPC9050 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | BOARD DEV EPC2036 100V EGAN FET | ￥1861.79997 | 在线订购 |
 | | EPC9049 | 开发板/评估板/验证板（废弃） | EPC2035 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board | ￥2214.04305 | 在线订购 |
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