Diodes 的 SBR2M60S1F 经过专门优化，可满足不同的应用需求。该器件采用 Diodes 的 Super Barrier Rectifier® (SBR) 专有技术，采用 SOD123F 封装。该产品及该系列中的其它器件专门用于满足工业、通讯和消费类市场的整流、阻断和升压转换要求。
SBR2M60S1F 针对低漏泄进行了优化，可将阻断模式期间的损耗降至最低；该器件在 25°C 时的瞬时反向漏泄电流仅 0.8 μA，在 175°C 为 0.4 mA，且能够处理最高 2 A 的 IO 和 60 V 的 VRRM。
SOD123F 封装的 PCB 面积仅 7 mm2，约为行业标准 SMA 封装的一半，且具有 40°C RθJC 每瓦特，从而保证了该封装在同等条件下具有与 SMA 封装相似的热性能。SBR2M60S1F 整流器的工作温度可达 175°C，使其非常适合在高温工业环境中使用。

电路保护

• 输出整流

• 桥式整流

• 阻断二极管

• 反极性