
HMC219 GaAs 微波混频器

Analog Devices 2.5 GHz 至 7 GHz MMIC 混频器(HMC219 GaAs Microwave Mixer)适用于高性能无线电应用
发布时间:2018-06-14
ADI HMC219B 是通用型、双平衡、单片微波集成电路 (MMIC) 混频器,适用于 HiperLAN、U-NII 和 ISM 等高性能无线电频段。 这种器件采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制造,不需要外部元件或匹配电路。 该器件可用作 2.5 GHz 至 7.0 GHz 之间的上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器。 HMC219B 由于优化了平衡不平衡转换器结构,可提供出色的本地振荡器 (LO) 至射频 (RF) 隔离和 LO 至中频 (IF) 隔离。 该器件采用超小的 3 mm x 3 mm 8 引线封装,工作温度范围为 -40 °C 至 +85 °C。
HMC219 GaAs 微波混频器特性
频率:2.5 GHz 至 7 GHz
噪声系数/转换损耗:8 dB
无源双平衡拓扑结构
封装/外壳:8-MINI_SO_EP 3 mm x 3 mm
温度范围:-40°C 至 +85°C
HMC219 GaAs 微波混频器应用
微波无线电
高性能无线局域网 (HiperLAN)
非许可国家信息基础设施 (U-NII)
工业、科技和医疗 (ISM)
通信
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | HMC219BMS8GE | RF混频器-射频器件 | ICMMICMIXER2.5-7GHZ8MINISOEP | 在线订购 | |
![]() | | HMC219BMS8GETR | RF混频器-射频器件 | ICMMICMIXER2.5-7GHZ8MINISOEP | ¥142.77600 | 在线订购 |









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