
HMC717A 单片微波集成电路放大器

Analog Devices 推出其 HMC717A 低噪声 GaAs、pHEMT、4.8 GHz 至 6.0 GHz 频率、单片微波集成电路放大器(HMC717A Monolithic Microwave Integrated Circuit Amplifier)
发布时间:2018-06-14
ADI HMC717ALP3E 是砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 放大器。 这款放大器非常适合用于工作在 4.8 GHz 至 6.0 GHz 之间的固定无线和 LTE/WiMAX/4G 基站前端接收器。 HMC717ALPE 经优化,能够以 +3 V 至 +5 V 单电源提供 1.1 dB 噪声系数、14.5 dB 增益和 +29.5 dBm 输出 IP3。该 LNA 的输入和输出回波损耗非常出色,只需极少的外部匹配和偏置去耦元件。 这款放大器可采用 +3 V 至 +5 V 偏置,具有外部可调节的电源电流,可让设计人员针对每一种应用定制低噪声放大器的线性度性能。
HMC717A 单片微波集成电路放大器特性
频率:4.8 GHz to 6 GHz
P1dB:18 dBm
增益:14.5 dB
噪声系数:1.1 dB
射频类型:LTE、WiMAX
电源电压:3 V 至 +5 V
电源电流:68 mA
测试频率:4.8 GHz 至 6 GHz
封装/外壳:16 VFQFN 裸焊盘 (16 QFN 3 x 3)
HMC717A 单片微波集成电路放大器应用
FBTS 和基础设施
中继器和毫微微基站
公共安全
固定无线
LTE/WiMAX/4G
蜂窝
公共安全无线电
接入点
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![]() | | HMC717ALP3E | RF放大器-射频器件 | RF 放大器 QFN-16 3V 68mA 4.8~6GHz | ¥39.70490 | 在线订购 |
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