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CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
Texas Instruments 推出采用 3.3 mm x 3.3 mm VSONP 封装的 CSD17581Q3A、30 V、N 沟道 NexFET 功率 MOSFET（CSD17581Q3A N-Channel NexFET™ Power MOSFET）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 30 V、3.2 mΩ、VSONP 3.3 mm x 3.3 mm NexFET 功率 MOSFET 设计用于将电源转换应用的损耗降至最低。 这些器件包括负载点同步降压转换器，适用于网络、电信和计算系统、电机控制应用，而且经过优化后还可用于控制 FET 应用。
CSD17581Q3A N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET特性
低 QG和 QGD
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩级
无铅
符合 RoHS 规范
无卤素
VSONP 3.3 mm x 3.3 mm 塑料封装
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | CSD17581Q3AT | MOSFETs-晶体管 | CSD17581Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | ￥5.53394 | 在线订购 |
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