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符合汽车级标准的 MOSFET
Diodes 的汽车级 MOSFET （Automotive Compliant MOSFETs）专门针对电机控制应用
发布时间：2018-06-14
额定工作温度高达 175 °C，Diodes 的 40 V DMTH4004SPSQ 和 DMTH4005SPSQ 汽车级 MOSFET 非常适用于高温环境中。DMTH4004SPSQ 旨在满足高功率 (>750 W) 无刷直流电机 (BLDC) 的应用需求，如水和燃料泵。而 DMTH4005SPSQ 则适用于较低功率的 BLDC 应用，如辅助泵和供暖、通风和空调 (HVAC) 系统。DMTH4004SPSQ 和 DMTH4005SPSQ 为满足三相 BLDC 电机控制应用的严格要求而开发，经过 100% 雪崩测试，确保稳固可靠的设计，能够承受感性负载可能出现的高脉冲反向雪崩能量。此外，在 10 V 栅源电压下，DMTH4004SPSQ 和 DMTH4005SPSQ 分别具有 2.7 mΩ 和 4 mΩ 的最大导通电阻，加上低栅极电荷，可确保功率损耗保持在极低水平。这些 MOSFET 的效率借助低热阻的 POWERDI®5060-8 封装得到进一步增强。其允许的最大结温为 175 °C，因此能够在高温环境中工作。
Diodes 的汽车产品组合
半导体器件是现代汽车不可或缺的部件。一台常见的车辆可能有多达 100 个电子控制单元 (ECU) 嵌入于系统中，它们包括负责管理引擎、变速、主动安全、乘客舒适性和信息娱乐系统等。
Diodes Incorporated 创造符合汽车级规范的多种模拟、分立式与定时产品。这些零件由零件编号末尾的 Q 字母清晰识别。Diodes 完全符合汽车规范的 'Q' 器件均符合 AEC-Q100、AEC-Q101 或 AEC-Q200 规范，在严格符合 TS16949 标准认证的工厂制造，能够支持 VDA6.3 客户审核。这些零件带有 PPAP（生产件批准程序）文档，从而满足汽车电子行业的所有要求。
符合汽车级标准的 MOSFET特性
低 RDS(ON)
传导损耗保持在极低水平，从而降低总体功耗
100% 非钳位感性开关
每一器件都经过非钳位感性开关 (UIS) 测试，以确保器件可承受电感负载产生的雪崩能量，从而获得更稳健可靠的设计。
最高结温：175 °C
高温环境下的理想选择
汽车级
符合 AEC-Q101
支持 PPAP 全面跟踪
提高散热效率的封装
PowerDI5060 的低热阻可让应用运行于更低温度
DMTHxxx - 优化品质因数 (Rds （on) X QG) 将损耗降至最低
DMNHxxx - 低 Rds （on)，更高的鲁棒性，出色的雪崩性能
100% 雪崩测试 - 能承受电感负载突降能量
符合汽车级标准的 MOSFET应用
无刷直流电机控制
反极性保护
行车电磁阀
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | DMNH6042SPDQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V5.7APOWERDI | 在线订购 | |
 | | DMTH4004LK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH40V100ATO252 | 在线订购 | |
 | | DMNH6008SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V16.5APOWERDI | 在线订购 | |
 | | DMNH6021SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V55APOWERDI | ￥3.80052 | 在线订购 |
| | DMNH6042SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V25ATO252 | ￥2.89604 | 在线订购 |
| | DMNH4011SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH40V12.9APOWERDI | ￥8.34954 | 在线订购 |
 | | DMNH6022SSDQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET2NCH60V7.1A8SO | ￥8.94075 | 在线订购 |
| | DMNH6021SPDQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET2NCH60V8.2APOWERDI | ￥13.02736 | 在线订购 |
 | | DMNH4011SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | ￥6.97680 | 在线订购 |
| | DMNH6012LK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V80ATO252 | ￥3.99614 | 在线订购 |
| | DMTH4005SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH POWERDI5060-8 | ￥4.43913 | 在线订购 |
| | DMTH4004SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH40V31APWRDI5060-8 | ￥4.64581 | 在线订购 |
 | | DMNH4006SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH40V20ATO252 | 在线订购 | |
| | DMNH4006SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH40V110APOWERDI | ￥4.93237 | 在线订购 |
| | DMNH6012SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V50APOWERDI | ￥5.48786 | 在线订购 |
| | DMNH10H028SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH100V55ATO252 | ￥14.90471 | 在线订购 |
| | DMPH4015SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETPCH40V14ATO252 | ￥4.18755 | 在线订购 |
| | DMNH10H028SPSQ-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETN-CH100V40APOWERDI506 | ￥13.35960 | 在线订购 |
| | DMNH6021SK3Q-13 | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V50ATO252 | ￥5.55012 | 在线订购 |
 | | DMNH6008SCTQ | MOSFETs-晶体管 | MOSFETNCH60V130ATO220AB | 在线订购 |
应用案例
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Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出 AP7387Q 低压差 (LDO) 线性稳压器。此装置可提供 150mA 的最大输出电流，具有 5V 至 60V 的宽广输入电压，且在 100mA 输出电流时具有 700mV (典型值) 的电压差。该装置为工程团队提供一个易于实作的负载点 (PoL) 解决方案，适用于汽车音讯、导航、尾灯、变速器控制单元与电池管理系统。 AP7387Q 的静态电流仅为 2µA，低于许多竞争产品。对于永久连接电池的系统，这个装置至关重要，有助于延长运作时间。此外，本装置在 1kHz 时
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资讯Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)2023-02-16
产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 针对 USB Type-C技术不断成长的机会和更低功耗的操作需求，推出两款全新位层级重时器(ReTimer)。PI2DPT1021 和 PI2DPT821 产品适用于笔记本电脑和桌面计算机，以及扩充坞、计算机周边装置、游戏主机和主动式传输线。它们将业界极佳的功率效率与现代 CPU 平台、精巧外形和先进功能完美结合。 每个全新重时器都具有接收器自适应等化功能，这代表可以处理长走线和短走线应用。此功能可为速度 5GHz 的讯号传输提供高达 -23dB 的信道
资讯Diodes公司推出两款精密功率放大器 解决汽车设计中进阶讯号调节需求2022-10-20
5.5MHz 带宽使 AS2376Q 功率放大器能够处理 50kHz 讯号，而不会有显著讯号精度损失。其低输入噪声密度 （9.5nV/ÖHz） 与 0.8µVpp 低频率噪声，再加上轨对轨输出，可增强讯号完整性。AS2376Q 具有 5μV （典型） 补偿电压，支持宽动态范围。供应电压接受范围 2.2V 至 5.5V，可实现更大的设计弹性。
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