小封装 - 巨大的性能提升

     在 100 V 电压下，eGaN FET 的 RDS(ON) x 芯片面积是最新硅晶 MOSFET 的 4 倍之多

     在 200 V 电压下，该优势猛增到 16 倍

提升了品质因数 (FOM)

     最新一代 eGaN FET 在 100 V 电压下的优势为硅晶器件的四倍，而在 200 V 电压这种优势达到了 8 倍，适用于在高频电源转换应用中提升开关性能。

应用从性能提升中获得很大益处

     例如，在 48 V 至 5 V 电路中以及 500 kHz 开关频率下，100 V EPC2045 相比最具竞争力的MOSFET，功率损耗减少了 30% 且能效提高了 2.5%。