SiT8009B 高频低功耗振荡器
SiTime SiT8009B (SiT8009B High-Frequency, Low-Power Oscillators)提供频率高达 115 MHz 的低功耗性能,且具备 MEMS 稳健性并避免了 EMI 问题
发布时间:2018-06-14
SiTime SiT8009B 是带有 LVCMOS/LVTTL 兼容型输出的、业内功耗最低的高频振荡器。该器件的 5.5 mA(典型值)电流消耗(采用 1.8 V 供电)实现了更绿色的电子产品,而不会削弱性能。该器件实现了低功耗、出色稳定性、灵活的工作电压和小尺寸的完美结合,适合大量便携式和消费类应用。SiT8009B 系列具有可编程驱动强度,且该特性针对特定应用优化了上升/下降时间。 可编程驱动强度带来的优势包括提升了 EMI 性能、降低了抖动并能驱动大型容性负载。
SiT8009B 振荡器可作为现场可编程器件,配合使用 SiTime 的 Time Machine II 编程器。利用该编程器,可在数秒内按照精确的规范轻松配置现场可编程振荡器。设计人员可配置 MEMS 振荡器的频率、电压、稳定性以及多个特殊功能,如可调节上升和下降时间,从而加快设计速度,优化系统。
SiT8009B 高频低功耗振荡器特性
特性
功耗最低的高频振荡器:
5.5 mA 典型工作电流 (1.8 V)
1 µA 典型待机电流 (1.8 V)
小型 2016 和 2520 封装,适用于所有的频率、电压和稳定性
可配置特性集:
具有六位小数精度的 115 MHz 至 137 MHz 之间的任何频率
从 ±20 PPM 至 ±50 PPM 的稳定性
工业或扩展商用温度
1.8 V 或 2.5 V 至 3.3 V 电源电压
SoftEdgeTM 可配置驱动强度
优势
更长的电池寿命
可实现更绿色的电子产品
节省更多板空间,不会降低性能和可用性
为实现最佳系统性能的自定义规格
使用相同的基础器件实现多种设计,减少认证需求
通过较慢上升/下降时间最大限度减少振荡器的 EMI
通过驱动多个负载并消除了多余的定时元件来节省成本
减少库存开销
减轻短路风险
SiT8009B 高频低功耗振荡器应用
GPON
EPON
以太网
SATA/SAS
SSD
存储服务器
PCI
PCI-E
DDR
图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
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关于作者--SiTime样品中心 为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。 概述 低轨道卫星移动通信(low earth orbit mobile-satellite
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