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LM5113 半桥栅极驱动器
Texas Instruments 提供用于增强模式 GaN FET 的 LM5113 100 V 1.2 A / 5 A 半桥栅极驱动器（LM5113 Half-Bridge Gate Drivers）
发布时间：2018-06-14
Texas Instruments 的 LM5113 旨在以同步降压或半桥配置，同时驱动高压侧和低压侧增强模式氮化镓 (GaN) FET。这种浮动式高压侧驱动器能够驱动高达 100V 的高压侧增强 模式 GaN FET。其中高压侧偏置电压使用自举技术产生，且内部箝至 5.2 V，这样就可以防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入兼容 TTL 逻辑，且可以承受高达 14 V 的输入电压，而不用考虑 VDD 电压。LM5113 具有分离式栅极输出，为独立调节导通和关断强度提供了灵活性。
此外，LM5113 强大的电流灌入能力可使栅极保持在低态，从而防止切换期间意外导通。LM5113 可工作在高达几个 MHz 的频率下。LM5113 采用标准的 10 引脚 WSON 封装和 12 焊球 DSBGA 封装。10 引脚 WSON 封装包含一个有助于功率耗散的裸焊盘。DSBGA 封装尺寸紧凑，最大程度降低了封装电感。
LM5113 半桥栅极驱动器特性
独立的高压侧和低压侧 TTL 逻辑输入
1.2A/5A 峰值拉/灌电流
高压侧浮动偏置电压轨工作电压高达 100 VDC
内部自举供应电压箝位
分离式输出实现了可调节导通/关断强度
0.6 Ω/2.1 Ω 下拉/上拉电阻
快速传播时间（典型值为 28 ns）
出色的传播延迟匹配（典型值为 1.5 ns）
电源轨欠压锁定
低功耗
LM5113 半桥栅极驱动器应用
电流反馈式推挽转换器
半桥和全桥转换器
同步降压稳压器
双开关正激式转换器
通过有源箝位转换器进行正激
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | EPC9201 | 其他分类 | DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM5113 | 在线订购 | |
 | | LM5113LLPEVB/NOPB | DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS-开发套件/万能板/PCB板-开发板/套件/编程器 | BOARD EVAL FOR LM5113LLP | ￥1761.40603 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | LM5113SD/NOPB | 栅极驱动-电源管理 | LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器 | ￥35.30717 | 在线订购 |
 | | LM5113TME/NOPB | 栅极驱动-电源管理 | LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器 | ￥36.19017 | 在线订购 |
| | LM5113SDE/NOPB | 栅极驱动-电源管理 | LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器 | ￥37.31226 | 在线订购 |
| | LM5113SDX/NOPB | 栅极驱动-电源管理 | LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器 | ￥30.25456 | 在线订购 |
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