Texas Instruments 的 LM5113 旨在以同步降压或半桥配置，同时驱动高压侧和低压侧增强模式氮化镓 (GaN) FET。这种浮动式高压侧驱动器能够驱动高达 100V 的高压侧增强 模式 GaN FET。其中高压侧偏置电压使用自举技术产生，且内部箝至 5.2 V，这样就可以防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入兼容 TTL 逻辑，且可以承受高达 14 V 的输入电压，而不用考虑 VDD 电压。LM5113 具有分离式栅极输出，为独立调节导通和关断强度提供了灵活性。
此外，LM5113 强大的电流灌入能力可使栅极保持在低态，从而防止切换期间意外导通。LM5113 可工作在高达几个 MHz 的频率下。LM5113 采用标准的 10 引脚 WSON 封装和 12 焊球 DSBGA 封装。10 引脚 WSON 封装包含一个有助于功率耗散的裸焊盘。DSBGA 封装尺寸紧凑，最大程度降低了封装电感。