NXP 的 MRFX 系列射频晶体管的额定功率为 1800 W（连续波）。这些产品基于 NXP 内部实验室开发的 65 V LDMOS 技术，专为实现高性能和易用性而设计。65 V 漏极电压提升了输出阻抗，并确保更高的击穿电压。这些器件可直接替换 NXP 的 1250 W、1500 W 和 1800 W 晶体管，帮助客户打造适用多个最终产品的单一可扩展平台。随着射频在各种工业应用中变得普及，NXP 为射频功率工程师们提供了一种能缩短设计周期的方法。
NXP 还提供 1800 W 塑料封装 MRFX1K80N。这种封装实现了更高的射频输出功率和 30% 的较低热阻。该器件引脚兼容陶瓷 MRFX1K80H。供货和开发支持 采用气腔陶瓷封装的 MRFX1K80H 晶体管目前进行样品试制，预期在 2017 年 8 月量产。现提供适合 27 MHz 和 87.5 MHz 至 108 MHz 应用的参考电路。随着 MRFX1K80H 的发布，NXP 将提供包塑版本 MRFX1K80N，从而将热阻降低了 30%，实现进一步的可靠性和易用性。