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MRFX 系列射频晶体管
NXP 的 65 V LDMOS 射频功率晶体管（MRFX Series RF Transistors）适用于高 VSWR 工业、医疗、广播、航空航天和移动无线电应用
发布时间：2018-06-14
NXP 的 MRFX 系列射频晶体管的额定功率为 1800 W（连续波）。这些产品基于 NXP 内部实验室开发的 65 V LDMOS 技术，专为实现高性能和易用性而设计。65 V 漏极电压提升了输出阻抗，并确保更高的击穿电压。这些器件可直接替换 NXP 的 1250 W、1500 W 和 1800 W 晶体管，帮助客户打造适用多个最终产品的单一可扩展平台。随着射频在各种工业应用中变得普及，NXP 为射频功率工程师们提供了一种能缩短设计周期的方法。
NXP 还提供 1800 W 塑料封装 MRFX1K80N。这种封装实现了更高的射频输出功率和 30% 的较低热阻。该器件引脚兼容陶瓷 MRFX1K80H。供货和开发支持 采用气腔陶瓷封装的 MRFX1K80H 晶体管目前进行样品试制，预期在 2017 年 8 月量产。现提供适合 27 MHz 和 87.5 MHz 至 108 MHz 应用的参考电路。随着 MRFX1K80H 的发布，NXP 将提供包塑版本 MRFX1K80N，从而将热阻降低了 30%，实现进一步的可靠性和易用性。
MRFX 系列射频晶体管特性
更高的功率 - 更高的电压实现更高的输出功率，这有助于降低需要组合的晶体管数量，简化了功率放大器复杂性并减小其尺寸。
更快的开发时间 - 由于使用更高的电压，可以在增大输出功率的同时保留合理的输出阻抗。这简化了 50 Ω 匹配，尤其是在宽带应用中。更快的匹配大大加快了开发时间。
设计重用 - 阻抗的优势还可确保与现有 50 V LDMOS 晶体管实现引脚兼容，使射频设计人员可重复使用现有的印刷电路板 (PCB) 设计，进一步加快产品上市速度。
易于管理的电流水平 - 更高的电压降低了系统电流，减少了 DC 电源负荷，并降低了磁辐射。
宽安全裕量 - NXP 65 V LDMOS 技术的击穿电压为 182 V，从而提高了可靠性并可实现更高效率架构。
MRFX 系列射频晶体管应用
激光发生
等离子蚀刻
磁共振成像 (MRI)
皮肤护理和治疗
粒子加速器和其它科学应用
无线电和极高频率 (VHF) 电视广播发射器
工业加热、焊接、固化或干燥机
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | MRFX1K80HR5 | MOSFETs-晶体管 | RF Mosfet 65 V 200 mA 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W NI-1230-4H | 在线订购 | |
| | MRFX1K80H-128MHZ | 未分类-待分类商品 | Trans RF MOSFET N-CH 179V 5-Pin NI-1230H | 在线订购 | |
 | | MRFX1K80H-230MHZ | 时钟/计时 - IC 电池 | MRFX1K80H 230MHZ REF DESIGN BRD | 在线订购 |
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