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SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET
Vishay Siliconix 推出 SIRA20DP 25 V、0.58 mΩ N 沟道 MOSFET（SIRA20DP TrenchFET® Gen IV MOSFET），实现极低的最大 RDS(ON)
发布时间：2018-06-14
Vishay Siliconix SiRA20DP N 沟道 25 V MOSFET 具有同类产品中最小的 RDS(ON)。该器件通过优化总栅极电荷 (Qg)、栅漏电荷 (Qgd) 和 Qgd/栅源电荷 (Qgs) 比，降低了开关相关的功率损耗。很低的 Qgd“米勒”充电可更快地通过平台电压。 该器件封装在传统的 PowerPAK® SO-8 设计中。 无需改变封装尺寸和引脚配置，即可实现更高的功率密度。10-mil 夹片将封装带来的电阻降低了 66%，并能够最大化硅的性能。
SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET特性
提供极低的最大 RDS(ON) 额定值 (VGS = 10 V)
RDS(ON) 减少了导通损耗，因此提高了功率密度
为器件提供了最低的 Qg，最大 RDS(ON) < 0.6 mΩ
经过 100% Rg 和 UIS 测试
低 Qg 实现了高效率 DC/DC 转换
采用 PowerPAK SO-8 封装
SIRA20DP TrenchFET® 第四代 MOSFET应用
同步整流
高功率密度 DC/DC
同步降压稳压器
O 圈
负载切换
电池管理
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