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ZXGD3112N7 OR'ing MOSFET 控制器
Diodes 的有源 OR'ing MOSFET 控制器（ZXGD3112N7 OR'ing MOSFET Controller）支持高达 400 V 的电源
发布时间：2018-06-14
Diodes Incorporated 推出可支持高达 400 V 冗余电源架构的 ZXGD3112N7，从而进一步扩充其专用有源 OR'ing MOSFET 控制器系列产品阵容。该器件适用于电信、数据中心和服务器等应用。ZXGD3112N7 全面提升了具有极低 RDS(ON) 的功率 MOSFET 的性能。它可替代肖特基阻流二极管，进而降低工作温度并提高系统可靠性。通过将 MOSFET 作为“理想二极管”驱动，控制器改善了高压电源系统的整体系统能效。
ZXGD3112N7 OR'ing MOSFET 控制器特性
轻负载稳定性
典型 -3 mV（± 2 mV 容差）关断阈值可实现较低 RDS(ON) MOSFET 的控制，同时仍能在轻负载条件下保持稳定
快速关断
5 A 电流灌入能力允许并联 OR'ing MOSFET 的栅极快速放电，且避免了在故障条件下的电流反向流动
更高的可靠性和效率
更高的效率简化了散热设计，并降低了散热器的尺寸和成本。此外，该器件降低了工作温度范围，提高了总体电源系统的可靠性
ZXGD3112N7 OR'ing MOSFET 控制器应用
目标应用是电源轨高达 400 V 的 OR'ing 整流器 (N+1) 冗余电源架构，常见于：
电信
数据中心
服务器
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | ZXGD3112N7TC | 电源开关/负载开关-电源管理 | ￥23.17265 | 在线订购 |
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