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    DirectFET IRF6718 MOSFET

    DirectFET IRF6718 MOSFET

    Infineon Technologies 的最新一代硅技术器件(DirectFET IRF6718 MOSFET),采用大型罐状 DirectFET 封装

    发布时间:2018-06-14

    IRF6718L2 在大型罐装 DirectFET 封装中采用了 Infineon Technologies 的最新一代硅晶技术,从而在比 D2PAK 封装的基底面小 60%,厚度小 85% 的封装内实现了 10 V VGS 下仅为 0.5 mΩ 的极低 RDS(ON)。该器件显著降低了与 O-ring 或者热插拔应用中通道元件相关的导通损耗,并允许双侧冷却,以最大限度提高电源系统中的热传输性能,进而大幅提升整个系统的能效。

    DirectFET IRF6718 MOSFET特性

    • 超低封装电感

    • 极低的 RDS(ON),可降导通损耗

    • 兼容现有的表面贴装技术

    • 针对有源 O-ring / eFUSE 应用进行了优化

    • 兼容双侧冷却

    DirectFET IRF6718 MOSFET应用

    1. Infineon Technologies 的首个采用大型罐状 DirectFET 封装的器件具有远低于竞争器件的 RDS(ON),实现了出色的能效和卓越的热性能,适用于高密度 DC-DC 应用,如基底面小于 D2PAK 的服务器。

    2. 相比现有解决方案,在给定功耗下所需的零件少,因此可减少板空间和系统总成本。

    3. 为 eFUSE 和热插拔电路提供了更高的安全工作区 (SOA) 能力

    DirectFET IRF6718 MOSFET
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    IRF6718L2TRPBFMOSFETs-晶体管MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6在线订购

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