IRF6718L2 在大型罐装 DirectFET 封装中采用了 Infineon Technologies 的最新一代硅晶技术，从而在比 D2PAK 封装的基底面小 60%，厚度小 85% 的封装内实现了 10 V VGS 下仅为 0.5 mΩ 的极低 RDS(ON)。该器件显著降低了与 O-ring 或者热插拔应用中通道元件相关的导通损耗，并允许双侧冷却，以最大限度提高电源系统中的热传输性能，进而大幅提升整个系统的能效。