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NextPower 25 V和30 V MOSFET
Nexperia的NextPower MOSFET在功率开关（NextPower 25 V and 30 V MOSFETs）应用中具有高效率
发布时间：2018-06-14
Nexperia的NextPower系列MOSFET 为您最新的高效率和高可靠性设计提供了六个最重要参数的独特平衡特性。更多的性能，更少的妥协。
许多竞争对手只注重优化- [R DS（ON）和Q ģ。随着Q G的降低，Q OSS和Q GD的损失变得更加显着。NextPower采用Superjunction技术在低R DS（ON），低Q OSS，低Q G（tot）和Q GD之间提供最佳平衡，以提供最佳的开关性能。NextPower提供卓越的SOA性能，低Q OSS可降低输出DRAIN和SOURCE终端之间的损耗。NextPower还提供极低的R DS（ON），在25 V和30 V时均具有低于1mΩ的类型。
LFPAK封装采用紧凑的5 mm x 6 mm封装，可与其他Power-SO8供应商兼容，提供坚固的电源开关。LFPAK的独特优势使其成为要求苛刻的应用或需要高可靠性的最佳封装选择。它还允许进行目视检查，减少了对昂贵的X射线设备检测焊接缺陷的需求，这与QFN型Power-SO8封装一样。
NextPower 25 V和30 V MOSFET特性
针对4.5 V栅极驱动电压进行了优化
低Q OSS可降低DRAIN和SOURCE之间的输出损耗
低Q GD，可降低开关损耗和高频开关
轻载和重载条件下的最佳开关性能
与其他Trench MOSFET供应商相比，具有出色的“安全工作区”性能
LFPAK封装，与其他供应商的Power-SO8类型兼容
业界最低的R DS（ON）功率-SO8--在25 V和30 V时小于1mΩ
消除昂贵的X射线检测 - 可以对LFPAK焊点进行光学检查
20 V额定GATE比横向MOSFET类型提供更好的电压瞬变容限
电源开关应用中的高效率
NextPower 25 V和30 V MOSFET应用
同步降压稳压器
DC-DC转换
电压调节器模块（VRM）
电源ORing
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | PSMN6R5-25YLC,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=64A VDS=25V SOT669 | ￥3.61620 | 在线订购 |
 | | PSMN9R5-30YLC,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=44A VDS=30V SOT669 | 在线订购 | |
| | PSMN7R0-30YLC,115 | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=61A VDS=30V SOT669 | 在线订购 |
应用案例
资讯闻泰科技关于荷兰经济部暂停行政令的声明2025-11-24
闻泰科技股份有限公司（以下简称“闻泰科技”或“我司”）注意到荷兰经济事务与气候政策部（以下简称“荷兰经济部”）大臣2025年11月19日发表的“暂停实施其于2025年9月30日依据《货物可用性法案》对安世下达的行政令”的声明。作为安世半导体的唯一控股股东，闻泰科技对此高度重视，现就相关事宜作出如下回应： 一、我司对荷兰经济部决定的立场 我司注意到荷兰经济大臣的上述声明是在中国商务部与荷兰经济部磋商后发表的，我司衷心感谢中
资讯关于敦促安世荷兰切实回应沟通解决控制权问题以保障全球供应链稳定的声明2025-11-24
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资讯重磅！荷兰归还安世半导体控制权！2025-11-20
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