Nexperia的 PSMN系列N沟道MOSFET已经扩展到包括TO220封装中的30 V，40 V和80 V Trench 6硅器件系列。新系列可在各种应用中提供性能改进。

Trench 6硅技术在TO220封装中提供Nexperia最低的R DS（ON）性能，典型值为1.4mΩ ，V GS = 10 V（PSMN1R6-30PL）。这些器件非常适用于电源ORing，电机控制，DC-DC转换器，PC silverbox电源和其他要求苛刻的工业应用。

Trench 6还提供更低的栅极电荷（Q G）和低栅极电阻（R G），使器件适用于高效电源管理应用和更高的开关频率。

TO220封装在通孔封装中提供紧凑的功率。安装在散热器上时，它具有出色的热阻。