Nexperia提供Trench 6 MOSFET无损耗封装（LFPAK）。通过将Trench 6芯片与高性能LFPAK封装相结合，这些新器件为客户提供了众多性能和可靠性优势。

Trench 6硅技术提供Nexperia最低的R DS（ON）性能，典型值为0.9mΩ ，V GS = 10 V（PSMN1R2-25YL）。这些最新器件非常适合各种苛刻的应用，包括电源“或”，电机控制和高效同步降压 - 稳压器。

沟槽6还提供更低的栅极电荷（Q G）和低栅极电阻（R G）。这使得这些器件适用于开关频率高达1 MHz的高效电源管理应用。

Nexperia的LFPAK采用表面贴装封装，可提供紧凑的功率。它提供卓越的电气和热阻以及低封装电感，同时保持广泛接受的SO8 PCB占位面积。