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20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET
NXP 的 20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET （20 V and 30 V N-Channel Trench MOSFETs）具有 1200 mW 的增强型功率耗散能力
发布时间：2018-06-14
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 通道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET特性
沟槽式 MOSFET 技术
低箝位电压
非常快的开关速度
1200 mW 的增强型功率耗散能力
20 V 和 30 V N 通道沟槽式 MOSFET应用
LED 驱动器
电源管理
低压侧负载开关
开关电路
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