
BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET

Nexperia的20 V P沟道沟槽MOSFET(BSH205G2 20 V, P-Channel Trench MOSFET)具有890 mW的增强功率耗散能力
发布时间:2018-06-14
BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET特性
低阈值电压
增强的功耗为890 mW
低导通电阻
沟槽MOSFET技术
BSH205G2 20 V,P沟道沟槽MOSFET应用
继电器司机
高速线路驱动器
高端负载开关
开关电路
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | | BSH205G2R | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 20V 3.00 x 1.40mm SMT SOT23 2.3A | ¥1.38298 | 在线订购 |
应用案例
资讯【奥伟斯OWEIS】安世Nexperia缺货?奥伟斯带来IKSEMI品牌选型完全替代方案2025-11-28
安世半导体(Nexperia)是一家享誉全球的汽车半导体龙头厂商,总部位于荷兰。自2020年由中国企业闻泰科技全资控股以来,安世半导体在全球汽车芯片市场占有率上升至40%,已深度嵌⼊了全球主流⻋企的供应链体系。日前,荷兰政府以国家安全为由强行接管安世半导体后,切断了对中国封装测试厂的晶圆供应,直接导致全球汽车市场的芯片供应受阻。强烈的政策风险与交付周期的大幅
资讯芯片地缘战:安世半导体(Nexperia)事件2025-11-03
前言:为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑,不是因为事实本身复杂,而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上,这一切都不是突然的。每一步都有前因,每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序,展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式,你会发现:地缘政治的冲突不是突发的,而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
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前言:为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑,不是因为事实本身复杂,而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上,这一切都不是突然的。每一步都有前因,每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序,展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式,你会发现:地缘政治的冲突不是突发的,而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
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前言:为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑,不是因为事实本身复杂,而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上,这一切都不是突然的。每一步都有前因,每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序,展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式,你会发现:地缘政治的冲突不是突发的,而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
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前言:为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑,不是因为事实本身复杂,而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上,这一切都不是突然的。每一步都有前因,每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序,展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式,你会发现:地缘政治的冲突不是突发的,而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
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前言:为什么要按时间线看这个事件 许多人对安世事件感到困惑,不是因为事实本身复杂,而是因为事件的各个环节似乎是"突然"发生的。美国突然实体清单、荷兰突然冻结、中国突然出口管制…… 但实际上,这一切都不是突然的。每一步都有前因,每一步都能预见下一步。 本报告将按照严格的时间顺序,展现这个事件如何从"萌芽"逐步走向"爆发"的完整过程。通过这种方式,你会发现:地缘政治的冲突不是突发的,而是精心设计、逐步升级的。 第一阶
资讯安世中国关于当前供应链局势及相关诉求的郑重声明2025-11-28
安世中国在官方微信号发布了关于当前供应链局势及相关诉求的郑重声明;我们分享给大家:
资讯闻泰科技关于荷兰经济部暂停行政令的声明2025-11-24
闻泰科技股份有限公司(以下简称“闻泰科技”或“我司”)注意到荷兰经济事务与气候政策部(以下简称“荷兰经济部”)大臣2025年11月19日发表的“暂停实施其于2025年9月30日依据《货物可用性法案》对安世下达的行政令”的声明。作为安世半导体的唯一控股股东,闻泰科技对此高度重视,现就相关事宜作出如下回应: 一、我司对荷兰经济部决定的立场 我司注意到荷兰经济大臣的上述声明是在中国商务部与荷兰经济部磋商后发表的,我司衷心感谢中







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