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BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET
Nexperia的20 V P沟道沟槽MOSFET（BSH205G2 20 V, P-Channel Trench MOSFET）具有890 mW的增强功率耗散能力
发布时间：2018-06-14
BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET特性
低阈值电压
增强的功耗为890 mW
低导通电阻
沟槽MOSFET技术
BSH205G2 20 V，P沟道沟槽MOSFET应用
继电器司机
高速线路驱动器
高端负载开关
开关电路
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