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DFN1010 晶体管
用于空间受限型应用中电源管理和负载开关的理想器件（DFN1010 Transistors）
发布时间：2018-06-14
NXP Semiconductors 的 DFN1010 系列晶体管尺寸小、功能强。 该系列是电流高达 3 A 的下一代封装器件，是具有 RDSon 和 VCEsat 基准值的高 Ptot MOSFET 和双极晶体管。 这些晶体管是用于空间受限型应用中电源管理和负载切换的理想器件。
封装详细信息
超小尺寸、扁平封装 (1.1 x 1 x 0.37 mm)
单和双通道配置（最小的双晶体管封装）
功率耗散（Ptot) 为 1 W (DFN1010D-3)
单封装，带表面镀锡、侧焊盘，改进了安装并符合汽车要求
DFN1010 晶体管特性
单和双通道 MOSFET（N / P 沟道）
RDS 低至 34 Ω
ID 高达 3.2 A
电压范围为 12 V 至 80 V
ESD 保护超过 1 kV
单极晶体管
VCEsat 值低至 70 mV
集极电流 (IC) 高达 2 A，峰值集极电流 (ICM) 高达 3 A
VVCEO 为 30 V 和 60 V
AEC-Q101 资质
DFN1010 晶体管应用
需要小尺寸解决方案的便携、移动和汽车应用
电源管理
充电电路
电源开关（电机、风扇等）
电平位移
LED 照明（汽车矩阵光及其它）
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | BC847QAPNZ | 通用三极管-晶体管 | 通用三极管 45V 100mA NPN+PNP DFN1006B-6 200~450 | 在线订购 | |
| | PQMD12Z | 通用三极管-晶体管 | 三极管 NPN,PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=350mW DFN1010B-6 | 在线订购 | |
 | | PBSS4160QAZ | 通用三极管-晶体管 | TRANS NPN 60V 1A 3DFN | 在线订购 | |
| | PBSS5230QAZ | 通用三极管-晶体管 | 三极管 PNP Ic=-2A Vceo=-30V hfe=425 P=1000mW DFN1010D-3 | 在线订购 | |
 | | PBSS4130QAZ | 通用三极管-晶体管 | 三极管 NPN Ic=1A Vceo=30V hfe=430 P=1000mW DFN1010D-3 | 在线订购 | |
| | PBSS4230QAZ | 通用三极管-晶体管 | TRANSNPN30V2ADFN1010D-3 | 在线订购 |
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| | PMXB360ENEAZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=1.1A VDS=80V DFN1010D-3 | ￥0.96656 | 在线订购 |
 | | PMXB120EPE | MOSFETs-晶体管 | MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN | 在线订购 | |
 | | PMDXB600UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 Dual N-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1010B-6 | ￥0.60410 | 在线订购 |
 | | PMXB43UNEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel Id=3.2A VDS=20V DFN1010D-3 | ￥9.94400 | 在线订购 |
| | PMXB350UPEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 P-channel Id=1.2A VDS=20V DFN1010D-3 | 在线订购 | |
| | PMXB65ENEZ | MOSFETs-晶体管 | MOSFETs 30V 400mW SMT SOT1215 3.2A N-Channel | 在线订购 | |
 | | PMCXB900UEZ | MOSFETs-晶体管 | MOS管 N-channel,P-channel Id=0.6A VDS=20V DFN1010B-6 | 在线订购 | |
| | PMXB40UNE | MOSFETs-晶体管 | MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN | 在线订购 |
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