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55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET
NXP 的 55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET （55 V, N-Channel Trench MOSFET）具有超过 3 kV HBM 的静电放电保护 (ESD) 能力
发布时间：2018-06-14
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 N 沟道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET特性
静电放电 ESD 保护能力超过 3 KV HBM
沟槽式 MOSFET 技术
低阈值电压
非常快的开关速度
55 V、N 沟道沟槽式 MOSFET应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
低压侧负载开关
开关电路
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