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PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET
NXP 的 PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET （PMV50XP, 20 V, P-Channel Trench MOSFET）具有 1096 mW 增强型功率耗散能力
发布时间：2018-06-14
NXP 提供其采用沟槽式 MOSFET 技术的 P 通道、增强模式场效应晶体管 (FET)，其封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET特性
低阈值电压
1096 mW 增强型功率耗散能力
低导通电阻
沟槽式 MOSFET 技术
PMV50XP 20 V、P 通道沟槽式 MOSFET应用
继电器驱动器
高速线路驱动器
高压侧负载开关
开关电路
工商网监